ROHM高速低功耗CMOS運(yùn)算放大器面向便攜數(shù)碼應(yīng)用
出處:HIGHWAY 發(fā)布于:2007-09-30 09:48:37
而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型BU7251G、BU7251SG,與低功耗型BU7231G、BU7231SG樣品,2007年7月開(kāi)始量產(chǎn)。目前整合CMOS運(yùn)算放大器與比較器,月產(chǎn)量達(dá)1千萬(wàn),在2008年3月以前將24種產(chǎn)品全部投入量產(chǎn),進(jìn)而向月產(chǎn)3千萬(wàn)的目標(biāo)挺進(jìn)。
此次開(kāi)發(fā)的CMOS運(yùn)算放大器、比較器系列產(chǎn)品,可以讓CPU、DSP在1.8V的低電壓環(huán)境下工作。此外,輸入輸出采用擺動(dòng)類型,即使是低電壓下也可以自由地控制由GND到電源電壓的全部信號(hào)。低功耗型CMOS運(yùn)算放大器BU7241G、BU7241SG的消耗電流僅為70μA,低功耗型COMS比較器的消耗電流僅為5μA,從而實(shí)現(xiàn)了低電流功耗。
由于高速CMOS運(yùn)算放大器BU7261G、BU7261SG具有1.1V/μs的高轉(zhuǎn)換速率,而CMOS比較器BU7251G、BU7251SG的響應(yīng)時(shí)間也僅為0.55μs,因此能夠在便攜數(shù)碼產(chǎn)品的音頻信號(hào)處理以及各種傳感信號(hào)處理中發(fā)揮巨大作用。
ROHM此次開(kāi)發(fā)的CMOS運(yùn)算放大器、比較器系列,采用其獨(dú)有的線路布局技術(shù),無(wú)需提高輸入偏壓電流,即可實(shí)現(xiàn)高于以往產(chǎn)品2倍的4kV高ESD耐量。這樣,在裝配的時(shí)候,就極大地減少了靜電對(duì)IC的破壞,從而顯著提高了產(chǎn)品的安全可靠性。而CMOS運(yùn)算放大器BU7241SG、BU7261SG,以及CMOS比較器BU7231SG、BU7251SG,能夠確保在-40℃至105℃的寬溫度范圍內(nèi)正常工作,適用于對(duì)可靠性要求較高的產(chǎn)品。
1ch CMOS運(yùn)算放大器、比較器的主要特性
電源與GND間的信號(hào)輸入輸出,采用擺動(dòng)的輸入輸出方式(當(dāng)VDD=3V時(shí),可能的輸入電壓值為0V~3V)
適用于電池的1.8V低電壓驅(qū)動(dòng)
高ESD耐量:4kV(HBM法)
低輸入偏壓電流(1pA)
高轉(zhuǎn)換速率:1.1 V/μs(CMOS運(yùn)算放大器:BU7261G、BU7261SG),超短響應(yīng)時(shí)間:0.55μs(CMOS比較器:7251G、BU7251SG)
低消耗電流:70μA(CMOS運(yùn)算放大器:BU7241G 、BU7241SG)、5μA(CMOS比較器:BU7231G、BU7231SG)
工作溫度范圍寬:-40℃~+105℃(CMOS運(yùn)算放大器:BU7261SG、BU7241SG,CMOS比較器:BU7261SG、BU7251SG)
小型封裝:SSOP5(SOT-23相當(dāng))
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對(duì)比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號(hào)調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計(jì)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:08:16
- 運(yùn)算放大器壓擺率的核心要點(diǎn)2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運(yùn)算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22
- PCB電源完整性(PI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 多層PCB疊層設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 提高M(jìn)OSFET效率的電路優(yōu)化方法
- 電源管理IC在智能家居中的應(yīng)用
- 差分信號(hào)連接器設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- PCB焊盤(pán)與過(guò)孔設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范(含可焊性與可靠性保障)
- 汽車電子常用電子元器件選型指南
- MOSFET驅(qū)動(dòng)與隔離方案設(shè)計(jì)
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析









