單線數(shù)字溫度傳感器DS18B20原理及其應(yīng)用
出處:http://www.hx51.com 發(fā)布于:2007-09-27 09:15:17
DALLAS單線數(shù)字溫度傳感器DS18B20簡(jiǎn)介新的"一線器件"體積更小、適用電壓更寬、更經(jīng)濟(jì) Dallas 半導(dǎo)體公司的數(shù)字化溫度傳感器DS1820是世界上片支持 "一線總線"接口的溫度傳感器。一線總線獨(dú)特而且經(jīng)濟(jì)的特點(diǎn),使用戶可輕松地組建傳感器網(wǎng)絡(luò),為測(cè)量系統(tǒng)的構(gòu)建引入全新概念。DS18B20、 DS1822 "一線總線"數(shù)字化溫度傳感器 同DS1820一樣,DS18B20也 支持"一線總線"接口,測(cè)量溫度范圍為 -55°C~+125°C,在-10~+85°C范圍內(nèi),為±0.5°C。DS1822的較差為± 2°C ?,F(xiàn)場(chǎng)溫度直接以"一線總線"的數(shù)字方式傳輸,大大提高了系統(tǒng)的抗干擾性。
適合于惡劣環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)溫度測(cè)量,如:環(huán)境控制、設(shè)備或過(guò)程控制、測(cè)溫類消費(fèi)電子產(chǎn)品等。與前一代產(chǎn)品不同,新的產(chǎn)品支持3V~5.5V的電壓范圍,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更靈活、方便。而且新一代產(chǎn)品更便宜,體積更小。 DS18B20、 DS1822 的特性 DS18B20可以程序設(shè)定9~12位的分辨率,為±0.5°C??蛇x更小的封裝方式,更寬的電壓適用范圍。分辨率設(shè)定,及用戶設(shè)定的報(bào)警溫度存儲(chǔ)在EEPROM中,掉電后依然保存。DS18B20的性能是新一代產(chǎn)品中的!性能價(jià)格比也非常出色! DS1822與 DS18B20軟件兼容,是DS18B20的簡(jiǎn)化版本。省略了存儲(chǔ)用戶定義報(bào)警溫度、分辨率參數(shù)的EEPROM,降低為±2°C,適用于對(duì)性能要求不高,成本控制嚴(yán)格的應(yīng)用,是經(jīng)濟(jì)型產(chǎn)品。 繼"一線總線"的早期產(chǎn)品后,DS1820開(kāi)辟了溫度傳感器技術(shù)的新概念。DS18B20和DS1822使電壓、特性及封裝有更多的選擇,讓我們可以構(gòu)建適合自己的經(jīng)濟(jì)的測(cè)溫系統(tǒng)。
1. DS18B20的新性能
(1) 可用數(shù)據(jù)線供電,電壓范圍:3.0~5.5V;
(2) 測(cè)溫范圍:-55~+125℃,在-10~+85℃時(shí)為±0.5℃;
(3) 可編程的分辨率為9~12位,對(duì)應(yīng)的可分辨溫度分別為0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃;
(4) 12位分辨率時(shí)多在750ms內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字;
(5) 負(fù)壓特性:電源極性接反時(shí),溫度計(jì)不會(huì)因發(fā)熱而燒毀,但不能正常工作。
2. DS18B20的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)
DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成:64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管腳排列如下:
圖(1)DS18B20外形圖
引腳定義:
(1) DQ為數(shù)字信號(hào)輸入/輸出端;
(2) GND為電源地;
(3) VDD為外接供電電源輸入端(在寄生電源接線方式時(shí)接地)。

圖 (2) DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
DS18B20有4個(gè)主要的數(shù)據(jù)部件:
?。?)光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的,它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是:開(kāi)始8位(28H)是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào),接著的48位是該DS18B20自身的序列號(hào),8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼(CRC=X8+X5+X4+1)。光刻ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都各不相同,這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。
表1 DS18B20溫度值格式表
這是12位轉(zhuǎn)化后得到的12位數(shù)據(jù),存儲(chǔ)在18B20的兩個(gè)8比特的RAM中,二進(jìn)制中的前面5位是符號(hào)位,如果測(cè)得的溫度大于0,這5位為0,只要將測(cè)到的數(shù)值乘于0.0625即可得到實(shí)際溫度;如果溫度小于0,這5位為1,測(cè)到的數(shù)值需要取反加1再乘于0.0625即可得到實(shí)際溫度。
例如+125℃的數(shù)字輸出為07D0H,+25.0625℃的數(shù)字輸出為0191H,-25.0625℃的數(shù)字輸出為FF6FH,-55℃的數(shù)字輸出為FC90H。
表2 DS18B20溫度數(shù)據(jù)表
(3)DS18B20溫度傳感器的存儲(chǔ)器
DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性的可電擦除的EEPRAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器TH、TL和結(jié)構(gòu)寄存器。
(4)配置寄存器
|
TM |
R1 |
R0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
分辨率設(shè)置表:
|
R1 |
R0 |
分辨率 |
溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間 |
|
0 |
0 |
9位 |
93.75ms |
|
0 |
1 |
10位 |
187.5ms |
|
1 |
0 |
11位 |
375ms |
|
1 |
1 |
12位 |
750ms |
3. 高速暫存存儲(chǔ)器
高速暫存存儲(chǔ)器由9個(gè)字節(jié)組成,其分配如表5所示。當(dāng)溫度轉(zhuǎn)換命令發(fā)布后,經(jīng)轉(zhuǎn)換所得的溫度值以二字節(jié)補(bǔ)碼形式存放在高速暫存存儲(chǔ)器的第0和第1個(gè)字節(jié)。單片機(jī)可通過(guò)單線接口讀到該數(shù)據(jù),讀取時(shí)低位在前,高位在后,數(shù)據(jù)格式如表1所示。對(duì)應(yīng)的溫度計(jì)算:當(dāng)符號(hào)位S=0時(shí),直接將二進(jìn)制位轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制;當(dāng)S=1時(shí),先將補(bǔ)碼變?yōu)樵a,再計(jì)算十進(jìn)制值。表 2是對(duì)應(yīng)的一部分溫度值。第九個(gè)字節(jié)是冗余檢驗(yàn)字節(jié)。
|
寄存器內(nèi)容 |
字節(jié)地址 |
|
溫度值低位 |
0 |
|
溫度值高位 |
1 |
|
高溫限值TH |
2 |
|
低溫限值TL |
3 |
|
配置寄存器 |
4 |
|
保留 |
5 |
|
保留 |
6 |
|
保留 |
7 |
|
CRC檢驗(yàn) |
8 |
根據(jù)DS18B20的通訊協(xié)議,主機(jī)控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過(guò)三個(gè)步驟:每讀寫之前都要對(duì)DS18B20進(jìn)行復(fù)位,復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令,發(fā)送RAM指令,這樣才能對(duì)DS18B20進(jìn)行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒,然后釋放,DS18B20收到信號(hào)后等待16~60微秒左右,后發(fā)出60~240微秒的存在低脈沖,主CPU收到此信號(hào)表示復(fù)位成功。
|
指 令 |
約定代碼 |
功 能 |
|
讀ROM |
33H |
讀DS1820ROM中的編碼(即64位地址) |
|
符合ROM |
55H |
發(fā)出此命令之后,接著發(fā)出64位ROM編碼,訪問(wèn)單總線上與該編碼相對(duì)應(yīng)的DS1820使之作出響應(yīng),為下一步對(duì)該DS1820的讀寫作準(zhǔn)備。 |
|
搜索ROM |
0F0H |
用于確定掛接在同一總線上DS1820的個(gè)數(shù)和識(shí)別64位ROM地址。為操作各器件作好準(zhǔn)備。 |
|
跳過(guò)ROM |
0CCH |
忽略64位ROM地址,直接向DS1820發(fā)溫度變換命令。適用于單片工作。 |
|
告警搜索命令 |
0ECH |
執(zhí)行后只有溫度超過(guò)設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng)。 |
|
指 令 |
約定代碼 |
功 能 |
|
溫度變換 |
44H |
啟動(dòng)DS1820進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換,轉(zhuǎn)換時(shí)長(zhǎng)為500ms(典型為200ms)。結(jié)果存入內(nèi)部9字節(jié)RAM中。 |
|
讀暫存器 |
0BEH |
內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容 |
|
寫暫存器 |
4EH |
發(fā)出向內(nèi)部RAM的3、4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令,緊跟該命令之后,是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。 |
|
復(fù)制暫存器 |
48H |
將RAM中第3、4字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到EEPROM中。 |
|
重調(diào)EEPROM |
0B8H |
將EEPROM中內(nèi)容恢復(fù)到RAM中的第3、4字節(jié)。 |
|
讀供電方式 |
0B4H |
讀DS1820的供電模式。寄生供電時(shí)DS1820發(fā)送“0”,外接電源供電DS1820發(fā)送“1”。 |
DS18B20的讀寫時(shí)序如下。
PROC WRITE
WRITE: MOV R2,#8
CLR C
WR1: CLR DQ
MOV R7,#6
DJNZ R7,$
RRC A
MOV DQ,C
MOV R7,#23
DJNZ R7,$
SETB DQ
NOP
DJNZ R2,WR1
SETB DQ
RET
;讀一個(gè)字節(jié),出口:A=讀入的字節(jié)
PROC DREAD
DREAD: MOV R2,#8
READL: CLR C
SETB DQ
NOP
NOP
CLR DQ
NOP
NOP
NOP
SETB DQ ;產(chǎn)生時(shí)間片
MOV R7,#7
DJNZ R7,$
MOV C,DQ
MOV R7,#23
DJNZ R7,$
RRC A
DJNZ R2,READL
RET
5. DS1820使用中注意事項(xiàng)
DS1820雖然具有測(cè)溫系統(tǒng)簡(jiǎn)單、測(cè)溫高、連接方便、占用口線少等優(yōu)點(diǎn),但在實(shí)際應(yīng)用中也應(yīng)注意以下幾方面的問(wèn)題:
(1) 較小的硬件開(kāi)銷需要相對(duì)復(fù)雜的軟件進(jìn)行補(bǔ)償,由于DS1820與微處理器間采用串行數(shù)據(jù)傳送,因此,在對(duì)DS1820進(jìn)行讀寫編程時(shí),必須嚴(yán)格的保證讀寫時(shí)序,否則將無(wú)法讀取測(cè)溫結(jié)果。在使用PL/M、C等語(yǔ)言進(jìn)行系統(tǒng)程序設(shè)計(jì)時(shí),對(duì)DS1820操作部分采用匯編語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)。
(2) 在DS1820的有關(guān)資料中均未提及單總線上所掛DS1820數(shù)量問(wèn)題,容易使人誤認(rèn)為可以掛任意多個(gè)DS1820,在實(shí)際應(yīng)用中并非如此。當(dāng)單總線上所掛DS1820超過(guò)8個(gè)時(shí),就需要解決微處理器的總線驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,這一點(diǎn)在進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)要加以注意。
(3) 連接DS1820的總線電纜是有長(zhǎng)度限制的。試驗(yàn)中,當(dāng)采用普通信號(hào)電纜傳輸長(zhǎng)度超過(guò)50m時(shí),讀取的測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)將發(fā)生錯(cuò)誤。當(dāng)將總線電纜改為雙絞線帶屏蔽電纜時(shí),正常通訊距離可達(dá)150m,當(dāng)采用每米絞合次數(shù)更多的雙絞線帶屏蔽電纜時(shí),正常通訊距離進(jìn)一步加長(zhǎng)。這種情況主要是由總線分布電容使信號(hào)波形產(chǎn)生畸變?cè)斐傻摹R虼?,在用DS1820進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)要充分考慮總線分布電容和阻抗匹配問(wèn)題。
(4) 在DS1820測(cè)溫程序設(shè)計(jì)中,向DS1820發(fā)出溫度轉(zhuǎn)換命令后,程序總要等待DS1820的返回信號(hào),一旦某個(gè)DS1820接觸不好或斷線,當(dāng)程序讀該DS1820時(shí),將沒(méi)有返回信號(hào),程序進(jìn)入死循環(huán)。這一點(diǎn)在進(jìn)行DS1820硬件連接和軟件設(shè)計(jì)時(shí)也要給予一定的重視。
測(cè)溫電纜線建議采用屏蔽4芯雙絞線,其中一對(duì)線接地線與信號(hào)線,另一組接VCC和地線,屏蔽層在源端單點(diǎn)接地。
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