奇夢達(dá)公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術(shù)是推動(dòng)下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時(shí)還可降低服務(wù)器的功耗。這些的FB-DIMM模組進(jìn)一步壯大了奇夢達(dá)本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計(jì)算機(jī)工作站應(yīng)用日益增長的要求。

　　奇夢達(dá)的新款FB-DIMM模組的速率快可達(dá)800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時(shí)候面市的下一代服務(wù)器的性能。在800 MHz模組中，每條高速通道的帶寬為4.8 Gbit/s，與533 MHz模組相比增加50%，與667 MHz模組相比增加20%。

　　新款模組的推出，還表明了奇夢達(dá)致力于提高服務(wù)器內(nèi)存能效的承諾。在服務(wù)器中，內(nèi)存是第二大耗能單元。在奇夢達(dá)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行的初步測試表明，與相同容量常規(guī)模組相比，功耗可降低45%。

　　“隨著四列8GB FB-DIMM模組的推出，奇夢達(dá)擴(kuò)大了其面向服務(wù)器和高端計(jì)算機(jī)市場的高密度內(nèi)存解決方案的陣容，”奇夢達(dá)負(fù)責(zé)計(jì)算類事業(yè)部的副總裁Michael Buckermann說道，“隨著對低功耗服務(wù)器應(yīng)用的需求日益增加，對滿足這一需求的多核處理器所需的更高性能內(nèi)存的需求也在不斷增長，我們預(yù)計(jì)8GB FB-DIMM模組的市場需求將非常強(qiáng)勁?！?/P>

　　奇夢達(dá)正在利用向下一代75nm制造工藝轉(zhuǎn)變這一契機(jī)，進(jìn)一步提高其整個(gè)服務(wù)器內(nèi)存模組產(chǎn)品陣容的能效。公司現(xiàn)可提供工作電壓為1.5V的DDR2組件，這一電壓水平比現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品低17%，但其性能卻絲毫不受損失。有了這些顆粒，從其新款FB-DIMM產(chǎn)品開始，奇夢達(dá)將可支持基于DDR2的低功耗服務(wù)器內(nèi)存解決方案。

　　奇夢達(dá)四列結(jié)構(gòu)的FBD是由奇夢達(dá)內(nèi)部設(shè)計(jì)和制造的內(nèi)存緩沖（AMB）芯片支持。AMB的作用相當(dāng)于FB-DIMM的數(shù)據(jù)流量疏導(dǎo)器。四列FB-DIMM模組使得企業(yè)用戶能夠在保持或降低功率預(yù)算的同時(shí)調(diào)節(jié)總體內(nèi)存模塊密度。這不僅降低了功耗，而且還縮短了內(nèi)存通道的延遲時(shí)間。更低的工作電壓再加上四列FB-DIMM模組，使得新模組在降低功耗方面具有很大的潛力。

　　奇夢達(dá)是一家有能力生產(chǎn)DRAM和AMB芯片的內(nèi)存供應(yīng)商，不僅能夠推動(dòng)在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)8GB內(nèi)存容量所需的創(chuàng)新技術(shù)，而且可以滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)所要求的散熱性能和電氣性能。

　　奇夢達(dá)現(xiàn)已推出容量為1GB、2GB和4GB、雙列配置的FB-DIMM模組及2GB，4GB和8GB的四列配置。各種密度的FB-DIMM的數(shù)據(jù)速率都可達(dá)到800 Mbps，工作電壓為1.8伏（符合Jedec標(biāo)準(zhǔn)）或1.5伏（行業(yè)發(fā)展目標(biāo)）。四列8GB模組的首批樣品已交付主要的合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證測試。