3月21日訊,Infineon公司推出新型100V MOSFET器件OptiMOS 2系列,和標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的解決方案相比,它能降低開關(guān)電源(SMPS)的元件數(shù)30%,降低成本多達(dá)20%.OptiMOS? 2系列在標(biāo)準(zhǔn)封裝時(shí)的導(dǎo)通電阻低至4.4毫歐姆,導(dǎo)通電阻和柵極電荷的乘積(優(yōu)值)低到410 mΩnC(毫歐姆納庫(kù)侖),支持開關(guān)速率高達(dá)250kHz及以上頻率.

OptiMOS 2 100V MOSFET系列在AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換中有效率,用在計(jì)算機(jī)系統(tǒng),通信系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng).無與倫比的導(dǎo)通電阻和優(yōu)值還使新的100V MOSFET非常適合其它的開關(guān)電容的應(yīng)用,包括D類放大器,馬達(dá)控制和不間斷電源(UPS).

在DC/DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用,低導(dǎo)通電阻降低了重負(fù)載的損耗.在輕負(fù)載,非常低的FOMg (柵極電荷優(yōu)值或?qū)娮璩藮艠O電荷)和FOMgd (柵-漏電荷優(yōu)值或?qū)娮璩藮怕O間電荷)降低了DC/絕緣DC/DC磚型轉(zhuǎn)換器的初級(jí)邊開關(guān)的損耗,以得到高的效率. FOMgd 比FOMg更適合用來計(jì)算開關(guān)損耗.而OptiMOS 2 100V MOSFET具有這兩種優(yōu)值.用同樣的元件數(shù)量和可比封裝,滿負(fù)載的損耗可降低多達(dá)20%,在重負(fù)載時(shí)還能保持優(yōu)異的效率.此外,對(duì)于同樣的效率,能降低元件數(shù)量多達(dá)20%,提供的性價(jià)比折衷.

在AC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,低導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及高動(dòng)態(tài)開通免疫性,保証了同步整流級(jí)的業(yè)界一流的低損耗和安全工作.和標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比, OptiMOS 2 100V MOSFET允許在AC/DC開關(guān)電源的次級(jí)同步整流級(jí)間斷元件數(shù)多達(dá)30%.此外,低熱系數(shù)即使在AC/DC SMPS中通常存在的升溫狀態(tài)下還保証了低導(dǎo)通損耗.

OptiMOS 2 100V系列還具有MOSFET技術(shù)中理論極限值的雪崩指標(biāo),MOSFET實(shí)際上是動(dòng)態(tài)開通免疫性的.這兩種特性保証了目標(biāo)應(yīng)用中的穩(wěn)定性,可靠性和限度性能.

現(xiàn)在可提供TO-252(D -Pak),T)-262(I2-Pak)和TO-222封裝的OptiMOS 2 100V器件樣品,其導(dǎo)通電阻從5.4mΩ 到80mΩ.其它封裝如D2-Pak, I-Pak和Super SO8的器件將在將在2006年年內(nèi)提供.

10K量時(shí)的單價(jià), 4.4mΩ TO-220 (IPP04CN10N)器件的單價(jià)低于$2.40,高速D-Pak封裝(IPD64CN10N)的單價(jià)為$0.40.