引言       
       以ARM芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們越來越多的青睞。包括工業(yè)控制領(lǐng)域、無線通信領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、消費(fèi)電子、成像和安全產(chǎn)品等，如今，ARM微處理器及嵌入式技術(shù)的應(yīng)用幾乎已經(jīng)滲透到了各個領(lǐng)域。其中，ARM7作為ARM微處理器系列中的一員，是低功耗的32位RISC處理器。
       Samsung公司的S3C4510B、Philips公司的LPC20XX、LPC21XX、LPC22XX系列等都是ARM7處理器。這些為數(shù)繁多的ARM7處理器，因其片內(nèi)外設(shè)不同而各擅所長，但都應(yīng)用同樣的ARM7TDMI核（或ARM7TDMI－S核，這是ARM7TDMI的綜合版本，這兩種核對處理器應(yīng)用人員來說沒有區(qū)別）。可以說，ARM7TDM I是目前使用為廣泛的32位嵌入式RISC處理器。      
       ARM7TDMI核應(yīng)用馮 ·諾依曼結(jié)構(gòu)，處理器使用的存儲器中數(shù)據(jù)和程序指令不予區(qū)分，PC寄存器指向的存儲器單元，無論是ROM區(qū)還是RAM區(qū)，只要符合ARM指令的格式都可以執(zhí)行，這就為系統(tǒng)自修改提供了可能。在應(yīng)用編程IA（In Application Program）就是這樣的自修改程序。它先在RAM存儲器中寫入數(shù)據(jù)值，然后使PC指向該存儲段，把該段作為程序段來執(zhí)行。很多ARM7芯片自帶IAP處理器，應(yīng)用其自帶的IAP處理器可以方便地對其片內(nèi)集成的FLASH存儲器進(jìn)行在應(yīng)用編程，但幾乎所有的ARM核芯片均不支持片外IAP處理，因?yàn)槠釬lash存儲器是用戶選型的，芯片生產(chǎn)廠家無法先知先覺，而不同F(xiàn)lash存儲器其編程時序也不盡相同，導(dǎo)致芯片生產(chǎn)廠家無法提供通用的IAP代碼。那么，如何對嵌入式系統(tǒng)的片外Flash存儲器進(jìn)行在應(yīng)用編程呢？這里分兩種情況：一是普通代碼存放在片外單獨(dú)1片F(xiàn)lash中，IAP代碼在另一片F(xiàn)lash中完成，此時只要依據(jù)Flash的操作時序執(zhí)行IAP代碼，完成擦除或?qū)懭氩僮骷纯?。這種情況雖然簡單，但應(yīng)用了2片F(xiàn)lash；而IAP代碼很小，一般完全可以集成到1片中，所以這里對這種情況不予考慮，另一種情況是1片F(xiàn)lash中既要存儲普通代碼，又要實(shí)現(xiàn)IAP。下面以Philips公司的LPC2210和Silicon Storage Technology公司的SST39VF160為例，詳細(xì)討論這種情況IAP的解決方案。       
       1 硬件結(jié)構(gòu)       
       1.1 LPC2210介紹       

       Philips公司的LPC2210是一款基于支持實(shí)時仿真和嵌入式跟蹤的16/32位ARM7TDMI－S CPU的微控制器。芯片采用144腳封裝，有16KB片內(nèi)靜態(tài)RAM，開放外部總線；通過外部存儲器接口可將外部存儲器配置成4組，每組的容量高達(dá)16Mb，數(shù)據(jù)寬度8/16/32位均可；具有多個32位定時器、8路10位PWM輸出、多個串行接口（包括2個16C550工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)UART、高速I2C接口和2個SPI接口）以及9個外部中斷、多達(dá)76個可承受5V電壓的通用I/O口，同時內(nèi)嵌實(shí)時時鐘和看門狗，片內(nèi)外設(shè)功能豐富強(qiáng)大；片內(nèi)晶振頻率范圍1－30MHz，通過片內(nèi)PLL可實(shí)現(xiàn)為60MHz的CPU工作頻率，具有2種低功耗模式--空閑和掉電，通過外部中斷將處理器從掉電模式中喚醒，并可通過個別使能/禁止外部功能來優(yōu)化功耗。以上特性，使其特別適用于工業(yè)控制、醫(yī)療系統(tǒng)、訪問控制和POS機(jī)，同時也非常適合于通信網(wǎng)關(guān)協(xié)議轉(zhuǎn)換器、嵌入式軟Modem，以及其他各種類型的應(yīng)用。   
 1.2 SST39VF160介紹   

       Silicon Storage Technology公司的SST39VF160是一個1M×16b的COMS多功能FLASH器件，單電壓的讀和寫操作，電壓范圍3.0－3.6V，提供48腳TSOP和48腳TFBGA兩種封裝形式。       
       該器件主要操作包括讀、寫編程、扇區(qū)/塊擦除和芯片擦除操作。擦除和字編程必須遵循一定的時序，表1列出了扇區(qū)擦除和字編程過程及時序。擦除或編程操作過程中讀取觸發(fā)位DQ6將得到"1"和"0"的循環(huán)跳變；而操作結(jié)束后讀DQ6，得到的是不變的固定值。這是器件提供的寫操作狀態(tài)檢測軟件方法。      
       1.3 硬件連接       
       SST39VF160作為系統(tǒng)的程序存儲器，以LPC2210的CS0作為Flash的片選信號，處理器配置Boot引腳為16位數(shù)據(jù)總線寬度后，上電可直接執(zhí)行SST39VF160中代碼。此Flash芯片為16位數(shù)據(jù)寬度，無字節(jié)控制總線，所以應(yīng)用中不使用LPC2210的BLS引腳。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。

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       2.軟件實(shí)現(xiàn)       
       2.1 IAP實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)分析       
       在嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)中，通常要求記錄一些現(xiàn)場的傳感、交互輸入數(shù)據(jù)，通常把數(shù)據(jù)記錄在Flash存儲器中，以 便下次上電能獲得以前的數(shù)據(jù)。如果系統(tǒng)程序和數(shù)據(jù)分開存儲。那么只要對存放數(shù)據(jù)的Flash器件進(jìn)行編程即可。然而大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)，程序和需保存的數(shù)據(jù)都共存于同一Flash存儲器中，那么是否也如前所述，可對Flash存儲器直接編程呢？理論和實(shí)踐都表明不可以。       
       先從理論上計算：LPC2210允許的芯片核工作頻率（CCLK）范圍是10－60MHz，存儲器讀訪問長度由存儲器組配置寄存器BCFG中讀訪問的長度域控制WST1控制，其可用長度為35個CCLK，而SST39VF160的扇區(qū)擦除典型時間為18ms。下面是計算算式：      
       TRDmax＝RDLenmax/CCLKmin＝35/10×10－6＝3.5μs       
       Tp＝18ms＞＞3.5μs      其中：TRDmax--讀訪問的時間；       
       RDLenmax--讀訪問可用長度；       
       CCLKmin--核工作時鐘頻率；      
       Tp--扇區(qū)擦除典型時間。       
算式得出扇區(qū)擦除典型時間遠(yuǎn)大于讀訪問時間。這樣一來，如果再給某FLASH寫數(shù)據(jù)，同時于其中預(yù)取指，那么因Flash執(zhí)行命令期間，對其他操作不響應(yīng)，預(yù)取出的必定是其數(shù)據(jù)引腳上的不確定數(shù)據(jù)，預(yù)取指失敗。實(shí)踐也表現(xiàn)，如果在程序執(zhí)行過程中，對同一Flash進(jìn)行扇區(qū)擦除，必定引起預(yù)取指中斷。       
       為了解決在同一Flash芯片存放程序并IAP這一問題，引進(jìn)代碼重映射的思想。所謂重映射就是代碼先自復(fù)制到制定存儲區(qū)，然后跳轉(zhuǎn)到制定區(qū)的起點(diǎn)開始執(zhí)行。這里，IAP程序先自復(fù)制到LPC2210片內(nèi)SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到SRAM執(zhí)行IAP代碼。前面過說，ARM7為馮·諾依曼結(jié)構(gòu)，這就為IAP程序重映射提供了可能。       
       編寫可重映射代碼的關(guān)鍵是要解決程序中相對偏移的問題，ARM7指令系列中涉及相對偏移的指令主要有LDR/STR以跳轉(zhuǎn)指令。這里的解決方案是：凡涉及偏移值的指令通通采用基址變址尋址方式，以PC寄存器作基址寄存器，以立即數(shù)為變址，這樣當(dāng)程序塊整塊移動時，要加載的數(shù)據(jù)或跳轉(zhuǎn)的地址與當(dāng)前PC值的偏 移值固定，解決了相對偏移問題。      
       2.2 扇區(qū)擦除       
       事先編程在Flash中的程序前自復(fù)制到SRAM制定的位置，然后，賦PC為SRAM中扇區(qū)編程代碼段的起點(diǎn)ERASEPART。程序于SRAM中的ERASEPART起點(diǎn)開始執(zhí)行，按照SST39VF160扇區(qū)擦除的時序要求開始擦除。按照ARM公司提出的ATPCS規(guī)定，C語言程序調(diào)用匯編程序時，寄存器R0－R3傳遞參數(shù)，返回值由寄存器R0傳遞原則，扇區(qū)擦除程序的一個參數(shù)，要擦除的扇區(qū)號，由R0傳遞；返回參數(shù)置于R0，扇區(qū)擦除成功返回"1"，否則返回"0"。       
       2.3 字編程       
       程序于SRAM中的PROGRAMPART起點(diǎn)開始執(zhí)行，按照SST39VF160字編程的時序要求開始編程。入口參數(shù)有三個，為編程地址、數(shù)據(jù)起始地址、編程數(shù)據(jù)長度。字編程成功返回"1"，否則返回"0"。        
       3.結(jié)論       
       在嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)中，IAP是極為有效的一種技術(shù)。根據(jù)本文提出的方案，在實(shí)際應(yīng)用中只需針對選用的Flash，更改特定的擦、寫操作代碼就可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)片外存儲器的在應(yīng)用編程。本文提出的IAP代碼重入到SRAM執(zhí)行的方法，有效地解決了應(yīng)用無片內(nèi)程序存儲器的32位ARM處理器的嵌入式系統(tǒng)IAP難題，有很大的應(yīng)用價值。