摘 要：分立器件封裝也是微電子生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)和先導(dǎo)-本文介紹國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體分立器件封裝技術(shù)及產(chǎn)品的主要發(fā)展?fàn)顩r，評(píng)述了其商貿(mào)市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；封裝；分立器件

中圖分類號(hào)：TN305．94；TN32 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1681-1070(2005)02-12-6

1 引言
半導(dǎo)體分立器件是集成電路的前世今生，相對(duì)而言，它是單個(gè)無(wú)聯(lián)系的、具有器件功能特性的管芯，封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件，在大功率、高反壓、高頻高速、射頻微波、低噪聲、高靈敏度等很多應(yīng)用場(chǎng)合起著舉足輕重與不可替代的關(guān)鍵作用。一些先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝和封裝技術(shù)已應(yīng)用到分立器件制造中，新的封裝形式日新月異，新結(jié)構(gòu)、新器件源源而來(lái)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模也不斷擴(kuò)大，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大支柱：中國(guó)目前已成為的分立器件市場(chǎng)，分立器件占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的比例達(dá)40％左右，遠(yuǎn)高于國(guó)際平均值的10％：國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模1．88萬(wàn)億元超過(guò)日本，成為僅次于美國(guó)位居世界第二位的國(guó)內(nèi)大產(chǎn)業(yè)：有需求就有供給，整機(jī)產(chǎn)業(yè)決定了分立器件市場(chǎng)今后的走向，同時(shí)也確定分立器件生產(chǎn)企業(yè)須從市場(chǎng)角度出發(fā)，高度關(guān)注主流動(dòng)向的深刻影響，在此影響下如能不斷調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，多元化和多樣化通盤考慮，實(shí)施可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，分立器件還很有希望。

2 微小尺寸封裝

芯片制作技術(shù)早巳進(jìn)入深亞微米時(shí)代，管芯面積大大縮減，化學(xué)機(jī)械拋光精密減薄優(yōu)勢(shì)顯現(xiàn)，真正的挑戰(zhàn)在于使用這些微小、超薄的管芯進(jìn)行組裝的封裝技術(shù)，促進(jìn)封裝的技術(shù)含量與投資規(guī)?？焖偬嵘Ａ硪环矫?，在相同空間增添更多功能的整機(jī)發(fā)展趨勢(shì)仍未停止，應(yīng)用需求封裝采用更先進(jìn)的技術(shù)，向高性能的微型化小尺寸封裝外形演繹、目前，分立器件微小尺寸封裝有更多規(guī)格版本供貨，提供了更低的成本和空間優(yōu)勢(shì)，簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)更自由，易連接．例如，數(shù)字晶體管的小平腿微縮表面貼封裝TSFP-3的尺寸為(1．0×0．6×0．4)mm，比工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23還要小86％。

金屬膜MELF無(wú)引線圓柱形二極管是小外形器件SOD的先驅(qū)，為統(tǒng)一尺寸和使用方便，也采用小外形晶體管SOT以及DPAK、D2PAK、SOD-123、DO-214AA／AB／AC、DO-216AA、SOD-882等封裝類別，隨整機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化繼續(xù)研發(fā)新封裝。具體而言，SOD-123是一種鷗翼型引線塑封二極管，其尺寸和SOT-23相同，電路板PCB占位面積和0．5W的MELF封裝類似兼容，現(xiàn)正被SOD-123FL矮型扁平引腳封裝逐步取代，并已確立其市場(chǎng)地位。在亞洲更流行一種微封裝SMA的J引線DO-214AC，這種表面貼裝一般額定在1A／W，它比DO-214AB更窄，占用較小的PCB空間。DO-216AA集低外形、低功率、小尺寸及電流處理能力于一體化，尺寸比SMA小一半，而熱性能一樣，厚度1．1mm．新型變?nèi)荻O管采用尺寸只有(1．0×0．6)mm的超小型扁平封裝SFP封裝類型，實(shí)際安裝面積大約減少40％，而且其內(nèi)部電容偏差值保證達(dá)到1．8％，可減少整機(jī)生產(chǎn)線上的調(diào)諧工作量，高頻開(kāi)關(guān)二極管也采用超小型SFP封裝。SOD-882為新一代小型分立無(wú)引線扁平封裝，已用于眾多的開(kāi)關(guān)、齊納、肖特基、變?nèi)?、波段開(kāi)關(guān)、PIN二極管等產(chǎn)品，采用非常薄的紙帶包裝，在標(biāo)準(zhǔn)180mm卷軸上能夠提供1萬(wàn)只產(chǎn)品。

SOT-23／89／143是表面貼裝SMT初行時(shí)業(yè)界的主要封裝變革范例，現(xiàn)在這類封裝已被尺寸更小巧、熱特性更佳的新型SOT、薄型小外形封裝TSOP、薄型微縮小外形封裝TSSOP、微縮小外形封裝SSOP所逐漸替換，各大廠家均有獨(dú)自的創(chuàng)新系列產(chǎn)品及市場(chǎng)目標(biāo)，例如，5或6條引腳的新型SOT-553／563封裝大大縮減了PCB面積和厚度，超小型、低厚度如表1所示。封裝性能通常按熱特性及其占據(jù)的PCB面積之比來(lái)進(jìn)行評(píng)估，具體評(píng)估情況如表2所示，其熱特性提高的關(guān)鍵是采用扁平引腳設(shè)計(jì)，而表2中的其他兩種類型均為翼型引腳，SOT-553／563已投人數(shù)十種小信號(hào)的雙極晶體管、開(kāi)關(guān)或肖特基二極管、數(shù)字晶體管、偏壓電阻晶體管的封裝生產(chǎn)中，硅以及硅鍺射頻雙極晶體管可采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT封裝，工作頻率可達(dá)20GHz，小尺寸塑封SOT、TSFP、單／X2晶體管封裝TSLP-3／6等的實(shí)際應(yīng)用覆蓋整個(gè)有線和無(wú)線領(lǐng)域。表3顯示出市場(chǎng)上常見(jiàn)的貼片式分立功率器件的微型封裝特點(diǎn)，熱阻θJC與封裝形式相關(guān)。近年來(lái)，功率半導(dǎo)體封裝外包業(yè)務(wù)正迅速增長(zhǎng)，預(yù)測(cè)到2006年功率半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)的年度復(fù)合增長(zhǎng)率為36．6%。

隨著微小尺寸封裝技術(shù)不斷發(fā)展，許多廠商加速商品化生產(chǎn)占據(jù)更小PCB面積的半導(dǎo)體分立器件。與此同時(shí)，充分應(yīng)用微小尺寸封裝的后發(fā)優(yōu)勢(shì)，研發(fā)在一個(gè)封裝外殼中密封雙／多只分立器件管芯的復(fù)合化、陣列化的產(chǎn)品紛紛上市，進(jìn)一步提高PCB面積效率：另外，還可將有關(guān)控制、外圍電路芯片及某些無(wú)源元件也組合在一起，發(fā)展成多芯片模塊。

3 復(fù)合化封裝

嚴(yán)格地講，復(fù)合化封裝仍屬微小尺寸封裝類別，只是更多的分立器件管芯被整合進(jìn)同一封裝中，雙管芯封裝居多，封裝引出腳更多也是一大特色。市場(chǎng)上常見(jiàn)的有國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家推出的有引腳直插式封裝5、6、14引腳的開(kāi)關(guān)對(duì)管、互補(bǔ)對(duì)管、復(fù)合對(duì)管、4晶體管陣列，結(jié)構(gòu)上有共發(fā)射板、共集電板、獨(dú)立雙PNP管、獨(dú)立PNP／NPN管、獨(dú)立4晶體管陣列、達(dá)林頓管等類別，在各類整機(jī)多種形式的電路中，PCB的排列緊湊而簡(jiǎn)化，焊點(diǎn)相應(yīng)減少，應(yīng)用起來(lái)十分靈活方便。

在多數(shù)情況下，6引腳封裝可以容納單、雙管芯，TSOP-6的引線座增大，能容納的單、雙管芯的尺寸分別為(1．016×1．778)mm和(0．6096×0．7112)mm，現(xiàn)用于封裝N和P溝器件、雙N與P溝器件及互補(bǔ)MOSFET。微型封裝Micro 8是一種薄外形8引腳封裝，比SO-8小50％左右，也可封裝一個(gè)或兩個(gè)管芯，單管芯尺寸面積為(1．778×2．59)mm雙管芯為(1．106×1．778)mm。將MOS-FET與肖特基二極管復(fù)合化封裝稱其為FETKY器件，這種混合封裝包括一只控制及同步MOSFET與二極管，可改善電流密度，并使封裝寄生電阻與封裝電感減至：比較常見(jiàn)的還有把絕緣柵雙極晶體管IGBT和反并聯(lián)二極管封裝在一起的結(jié)構(gòu)，便于應(yīng)用-在一個(gè)超微型SOT-666封裝內(nèi)結(jié)合低VCE sat晶體管及帶電阻晶體管功能，推出具備集成負(fù)載轉(zhuǎn)換功能的晶體管，1A、40-80V的SC-74封裝的這種晶體管針對(duì)汽車與消費(fèi)應(yīng)用：SOT-363分為標(biāo)準(zhǔn)配置和反向配置(半偏置或全偏置)，封裝中裝有兩只相同的雙邏輯門的射頻MOSFET，這種合二為一使得器件更加小型化，并降低PCB面積和成本，同時(shí)提供高功率增益、低功能以及靜電放電ESD保護(hù)。

二極管以往大多采用雙向(即軸向)或單向的雙條腿引出線封裝，復(fù)合化封裝已成為其發(fā)展方向，包括變?nèi)荨㈤_(kāi)關(guān)、阻尼、調(diào)制、肖特基等復(fù)合二極管系列產(chǎn)品，特點(diǎn)是超小型化、多功能化，片狀化封裝。在結(jié)構(gòu)上分單一功能管芯(含多個(gè))和兩種管芯的功能復(fù)合二極管，外形大多數(shù)采用片狀化SOT或TO封裝：國(guó)際市場(chǎng)上已有大量二配對(duì)、三配對(duì)和四配對(duì)的復(fù)合變?nèi)荻O管供貨，外形為片狀化或單列直插式封裝，用于電視，通信、儀器等產(chǎn)品中；復(fù)合開(kāi)關(guān)二極管內(nèi)含兩個(gè)并聯(lián)或串聯(lián)的管芯，常被多種電路選用，二極管陣列由3個(gè)以上的開(kāi)關(guān)二極管管芯組成，多的可用十余個(gè)管芯組成，外形片狀化以及單列直插式封裝的應(yīng)用面廣：工作電流大于5A的肖特基二極管一般采用TO-220封裝，也可根據(jù)需要封裝成雙管芯的TO-254、MO-78，DPAK、B2-01B／C外形，采用雙管芯(3X2)mm微型引腳封裝的高效率小型肖特基對(duì)管，具有良好的可焊性及散熱性；阻尼與調(diào)制二極管可組成多功能復(fù)合二極管，外形TO-220型封裝，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通時(shí)損耗?。?/P>

總而言之，復(fù)合化將幾只管芯封裝在一起，外形很像一塊集成電路，有一定程度的集成化功能，電參數(shù)等物理性能的一致性大為提高，便于在許多整機(jī)設(shè)計(jì)場(chǎng)合中應(yīng)用。

4 焊球陣列封裝
目前，常用功率晶體管的主要封裝方式有金屬氣密F型封裝TO-3管芯金屬結(jié)構(gòu)，塑料封裝TO-220，ISOTO-3P、ISOF-4、TO-3P等多種類型結(jié)構(gòu)，微波功率晶體管有H型、Q型封裝的管芯一陶瓷一金屬結(jié)構(gòu)，雙極型功率晶體管因成本低，仍占有一席之地，功率MOSFET向低內(nèi)阻、低電壓應(yīng)用發(fā)展。管芯與封裝占用面積之比也是功率器件封裝改進(jìn)的重要方向，在以往的SMT封裝中，如TSOP-6、SOT-23、SMA、SMB等，這一比例為20％左右，約80％的封裝面積被浪費(fèi)掉，無(wú)引線封裝的芯片／占用面積比提高到約40％，焊球陣列BGA封裝則進(jìn)一步提高此比例。利用Spacer技術(shù)與溝槽柵工藝生產(chǎn)的管芯，跟先進(jìn)的BGA封裝相結(jié)合，可制造封裝尺寸大為減少的BGA封裝功率MOSFET，其熱傳導(dǎo)性能優(yōu)異，熱阻Rθjc為0．5℃／W，功率密度50W／in2，高效率電流通過(guò)能力大，在50W／in2條件下實(shí)現(xiàn)每相40A電流，極低寄生源極電感，(5．0×5．5)mm封裝為6pH，導(dǎo)通電阻RDS(on)值低、P溝MOSFET在超小型(1．5×1．5×0．8)mm的BGA封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能，比同級(jí)設(shè)備現(xiàn)用標(biāo)準(zhǔn)的SSOT-6或TSOP-6封裝MOSFET的尺寸減少了75％，封裝性能因數(shù)改善也達(dá)75％；采用倒裝芯片技術(shù)封裝功率MOSFET的Flip FET，在管芯工藝上巧妙地把源和漏都做在同一個(gè)表面上，同時(shí)使管芯具有特別強(qiáng)的表面保護(hù)能力，有利于采用BGA方式包裝與焊接，并將所有的凸點(diǎn)都設(shè)置到封裝單面，芯片與占用面積之比幾乎達(dá)100％，這一新型封裝降低了熱阻，消除了其他類型封裝所存在的寄生參數(shù)，增加了產(chǎn)品的附加值，保持產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)。

5 直接FET封裝

市場(chǎng)上已有采用多種先進(jìn)封裝的功率MOS-FET供貨，流行形式有DPAK、SO-8、Power Pak、LFPAK、直接(Direct)FET等，表4示出其中數(shù)種性能比較-直接FET封裝結(jié)構(gòu)是專門為低電壓大電流功率MOSFET而研發(fā)的，其PCB占用面積與SO-8封裝相當(dāng)，厚度僅為0．7mm，遠(yuǎn)小于SO-8的1．75mm、管芯被包裹在一個(gè)銅質(zhì)罐形殼帽中，封裝底部特別設(shè)計(jì)的帶有柵極與源柵焊盤，可直接連接到PCB上；漏極在上，與銅殼蓋帽相連，銅殼蓋帽也焊在PCB上。專有鈍化系統(tǒng)的新型互聯(lián)技術(shù)可省去引線框架、引線鍵合，銅殼即是散熱器的外殼，從而達(dá)到雙面散熱冷卻的作用，電和熱的通道都十分舒暢，使功率密度加倍，革新了器件的熱管理?，F(xiàn)已開(kāi)發(fā)出十余款直接FET封裝的產(chǎn)品上市，接人電路后的測(cè)試結(jié)果表明，一個(gè)直接FET結(jié)構(gòu)在不帶頂部冷卻的情況下，可輕易取代兩個(gè)并聯(lián)的SO-8封裝，有時(shí)能替代兩個(gè)并聯(lián)的Power Pak，在大電流DC／DC變換器中，可以更低的系統(tǒng)成本和縮減PCB尺寸，大幅度提升功率密度。

6 IGBT封裝

IGBT兼具功率MOSFET和雙極型功率晶體管的特點(diǎn)，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出第5代技術(shù)的產(chǎn)品，在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流功率器件，從模塊化封裝轉(zhuǎn)向分立單管封裝，做成塑封器件，應(yīng)用于空調(diào)器、洗衣機(jī)、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中。600V／8A、10A、15A非穿通型IGBT采用D2Pak以及TO-220全絕緣封裝，絕緣能力保證不低于2kV，薄型硅非穿通技術(shù)有效降低了關(guān)斷能耗，設(shè)有“方形”反向偏壓安全工作區(qū)及10μs短路能力。1000V／60A的IGBT采用專有的溝道和非穿通技術(shù)生產(chǎn)，TO-264封裝，達(dá)到甚至超越IPC／JEDEC(電子器件工程師聯(lián)合協(xié)會(huì))的J-STD-020B標(biāo)準(zhǔn)要求，具有出色的開(kāi)關(guān)、傳導(dǎo)及耐雪崩陸能。

7 無(wú)鉛封裝

各國(guó)電子產(chǎn)品無(wú)鉛化法令執(zhí)行在即，日本全部采用綠色封裝半導(dǎo)體，美國(guó)啟動(dòng)使用綠色環(huán)保半導(dǎo)體的步伐，歐盟對(duì)綠色半導(dǎo)體的使用規(guī)定是到2006年7月必須采用，在國(guó)內(nèi)一些整機(jī)大廠商開(kāi)始提出無(wú)鉛封裝產(chǎn)品要求。面對(duì)無(wú)鉛化與綠色組裝的要求，無(wú)鉛封裝已成各分立器件廠家的賣點(diǎn)和爭(zhēng)取訂單的砝碼，從元器件前沿源頭杜絕污染，支持無(wú)鉛綠色環(huán)保生產(chǎn)。

分立器件的引腳采用錫鉛鍍層，或凸點(diǎn)制作為鉛錫焊球，有的為90鉛／10錫，以適應(yīng)PCB連接。無(wú)鉛焊料是無(wú)鉛封裝的前提和關(guān)鍵，無(wú)鉛焊料中錫—銀—銅系為流行，表5示出典型無(wú)鉛焊料再流焊工藝：隨著無(wú)鉛焊料進(jìn)程，國(guó)外很多廠家不僅推出100％無(wú)鉛封裝小信號(hào)分立器件系列，超薄超小無(wú)鉛封裝分立器件，全綠色封裝等，而且將無(wú)鉛化向功率分立器件、玻璃和陶瓷產(chǎn)品轉(zhuǎn)移，提供功率產(chǎn)品的無(wú)鉛封裝，包括高功率模塊、專用或標(biāo)準(zhǔn)功率模塊、功率類型的MOSFET、雙極晶體管、射頻晶體管、肖特基二極管、可控硅、智能模塊等-在一整套100％無(wú)鉛塑封小信號(hào)分立器件系列產(chǎn)品中，用100％純錫塑工藝取代錫鉛鍍技術(shù)，并與鉛基型號(hào)完全前向和后向兼容，具備同樣的尺寸與電氣／機(jī)械特性，滿足業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛方案升級(jí)：無(wú)鉛焊球凸點(diǎn)已投入批量生產(chǎn)，推出一整套無(wú)鉛化產(chǎn)品?無(wú)鉛封裝功率產(chǎn)品多以錫銀或錫銅二元合金的電鍍層引腳推出，產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)IPC／JEDEC共同標(biāo)準(zhǔn)J-STD-020B要求。無(wú)鉛封裝的研發(fā)與使用牽涉到材料的選擇和工藝修改，無(wú)鉛封裝和限量使用有害物質(zhì)后產(chǎn)品的可靠性不低于原有水平，涉及工藝方面問(wèn)題多，技術(shù)難度大，國(guó)內(nèi)無(wú)鉛封裝處于初始階段，日、美、歐大廠商的無(wú)鉛封裝量產(chǎn)將形成嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

8 商貿(mào)市場(chǎng)現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)分立器件廠家對(duì)行業(yè)的發(fā)展一直高度關(guān)注，由產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)入市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)，生產(chǎn)形勢(shì)呈上升狀態(tài)，發(fā)展現(xiàn)狀如表6所示。

據(jù)CCID分析，2003年國(guó)內(nèi)分立器件市場(chǎng)規(guī)模已占1／3，今后還將以接近20％的速度增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求主要來(lái)自消費(fèi)電子類、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通信三大領(lǐng)域，產(chǎn)品目前仍以普通晶體管、二極管為主，生產(chǎn)方面以后工序封裝為多，而前工序的管芯芯片制造卻沒(méi)有形成可觀的生產(chǎn)規(guī)模，導(dǎo)致產(chǎn)品大進(jìn)大出，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上進(jìn)口產(chǎn)品約占90％的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)廠家內(nèi)銷量?jī)H占市場(chǎng)銷量的10％，競(jìng)爭(zhēng)中以日、歐、美等國(guó)外商占優(yōu)勢(shì)，表7示出2003年國(guó)內(nèi)分立器件市場(chǎng)前15家供應(yīng)商情況。

誘人的市場(chǎng)吸引了眾多半導(dǎo)體供應(yīng)商的進(jìn)入，國(guó)外分立器件以高端產(chǎn)品為主導(dǎo)，營(yíng)收額、市場(chǎng)獨(dú)占性不及集成電路，產(chǎn)品分散率大，例如變?nèi)?、開(kāi)關(guān)、肖特基、快恢復(fù)整流、瞬變電壓抑制等二極管、功率晶體管、微波器件、電力電子器件等門類及品種繁多，2004年仍有30％左右的增長(zhǎng)率，今后的市場(chǎng)年需求量還會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。各廠家所生產(chǎn)的產(chǎn)品類型各異，市場(chǎng)策略各有千秋，一些廠商在集成電路供貨方面實(shí)力雄厚，并不斷強(qiáng)化分立器件的本地化服務(wù)，生產(chǎn)轉(zhuǎn)向國(guó)內(nèi)。例如，歐洲公司飛利浦半導(dǎo)體、英飛凌、意法半導(dǎo)體在分立器件的市場(chǎng)份額不斷擴(kuò)大，多元化規(guī)模建封裝廠，飛利浦半導(dǎo)體自稱為分立器件的捍衛(wèi)者，銷售額中的22％來(lái)自分立器件，在廣東、吉林等地成立合資公司，廣東測(cè)試和裝配工廠可年產(chǎn)40億只分立器件，吉林飛利浦半導(dǎo)體有限公司年封裝能力為6億只大功率晶體管等分立器件。樂(lè)山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司是美國(guó)安森美半導(dǎo)體在產(chǎn)量、生產(chǎn)成本的SOT-23生產(chǎn)基地，主導(dǎo)產(chǎn)品SOT-23產(chǎn)量占國(guó)內(nèi)總量的90％以上，產(chǎn)品出口在95g《以上，到2010年力爭(zhēng)出口創(chuàng)匯5億美元。

市場(chǎng)增長(zhǎng)為優(yōu)勢(shì)企業(yè)提供做大做強(qiáng)的發(fā)展空間，國(guó)內(nèi)廠家的生產(chǎn)能力顯著增強(qiáng)，是中低檔分立器件生產(chǎn)大國(guó)，產(chǎn)品具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。從分立器件行業(yè)銷售總額比重來(lái)看，長(zhǎng)三角地區(qū)占43．3％，京津環(huán)渤海灣地區(qū)占24．9%，珠三角地區(qū)占19．3％，其他地區(qū)為12．5％，其中長(zhǎng)三角地區(qū)企業(yè)占全國(guó)封裝業(yè)的80％，產(chǎn)值近70％，長(zhǎng)三角的經(jīng)濟(jì)主要面向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。新潮集團(tuán)長(zhǎng)電科技形成年產(chǎn)100億只分立器件能力，在TO-92系列產(chǎn)品基礎(chǔ)上，拓展貼片式封裝器件，上市后募集資金用于組建片式晶體管30億只／年封裝，片式功率MOSFET器件封裝、片式器件封裝檢測(cè)生產(chǎn)線全自動(dòng)化技改等項(xiàng)目，產(chǎn)品上檔次，產(chǎn)業(yè)上規(guī)?？缭绞桨l(fā)展。

封裝具有人力資源、資金需求大，技術(shù)門檻相對(duì)不高，封裝測(cè)試在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中比較容易進(jìn)人的特點(diǎn)-許多跨國(guó)公司都將封裝測(cè)試工廠設(shè)置在勞動(dòng)力成本較低的地方，鑒于市場(chǎng)和成本等原因，國(guó)內(nèi)今后可能成為分立器件的主要產(chǎn)銷地。據(jù)預(yù)測(cè)，到2007年，國(guó)內(nèi)分立器件的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2330億只，543億元。

美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)SIA近發(fā)布2004年中市場(chǎng)，對(duì)于2004年至2007年間的分立器件市場(chǎng)作了的預(yù)測(cè)如表8所示，包括功率晶體管與射頻晶體管在內(nèi)，2003年為實(shí)際值；其他為預(yù)測(cè)值：盡管對(duì)某些數(shù)據(jù)不同的組織與公司之間仍有一些分歧，但普遍認(rèn)為市場(chǎng)前景看好，分立器件的封裝為適應(yīng)市場(chǎng)需求正加快變革。

9 結(jié)束語(yǔ)

分立器件封裝技術(shù)傳承變換，旺盛的市場(chǎng)需求引發(fā)小空間內(nèi)的大創(chuàng)新，要全面仔細(xì)分類詳述封裝類型及產(chǎn)品遠(yuǎn)非本文所涉，只是試圖窺一斑而知全豹，在半導(dǎo)體市場(chǎng)大回暖的環(huán)境中，領(lǐng)略感受分立器件封裝的瞬息萬(wàn)變和發(fā)展趨勢(shì)，以及行業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，風(fēng)雨綢繆，轉(zhuǎn)變觀念，多角度形成發(fā)展分立器件的共識(shí)。