隨著計(jì)算機(jī)芯片技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，為了更好地與之相配合，內(nèi)存產(chǎn)品也由后臺走出，成為除CPU外的另一關(guān)注焦點(diǎn)。作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，內(nèi)存的性能直接影響計(jì)算機(jī)的整體性能。而內(nèi)存制造工藝的一步也是關(guān)鍵一步就是內(nèi)存的封裝技術(shù)，采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條，在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術(shù)才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。

封裝技術(shù)其實(shí)就是一種將集成電路打包的技術(shù)。拿我們常見的內(nèi)存來說，我們實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的內(nèi)存的大小和面貌，而是內(nèi)存芯片經(jīng)過打包即封裝后的產(chǎn)品。這種打包對于芯片來說是必須的，也是至關(guān)重要的。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電學(xué)性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB(印制電路板)的設(shè)計(jì)和制造，因此它又是至關(guān)重要的。

目前業(yè)界普遍采用的封裝技術(shù)盡管多種多樣，但是有90%采用的是TSOP(如圖1所示)技術(shù)，TSOP英文全稱為Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封裝)，這是80年代出現(xiàn)的內(nèi)存第二代封裝技術(shù)的代表。TSOP的一個(gè)典型特征就是在封裝芯片的周圍做出引腳，如SDRAM的IC為兩側(cè)有引腳，SGRAM的IC四面都有引腳。TSOP適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線，封裝外形尺寸，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用，操作方便，可靠性高。采用這種技術(shù)的品牌有三星、現(xiàn)代、Kingston等，TSOP目前廣泛應(yīng)用于SDRAM內(nèi)存的制造上，但是隨著時(shí)間的推移和技術(shù)的進(jìn)步，TSOP已越來越不適用于高頻、高速的新一代內(nèi)存。

如同微處理器一樣，內(nèi)存條的技術(shù)也是不斷地更新。大家可能已發(fā)現(xiàn)手中內(nèi)存條上的顆粒模樣漸漸在變，變得比以前更小、更精致。變化不僅在表面上，而且這些新型的芯片在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進(jìn)步。這一結(jié)晶應(yīng)歸功于那些廠商選用了新型內(nèi)存芯片封裝技術(shù)。以TinyBGA和BLP技術(shù)為代表的新型芯片封裝技術(shù)逐漸成熟起來。

首先我們要提及的就是TinyBGA技術(shù)，TinyBGA技術(shù)是Kingmax的，于1998年8月開發(fā)成功。要了解TinyBGA技術(shù)，首先要知道BGA是什么，BGA為Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，是新一代的芯片封裝技術(shù)，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是可增加I/O數(shù)和間距，消除高I/O數(shù)帶來的生產(chǎn)成本和可靠性問題。它已經(jīng)在筆記本電腦的內(nèi)存、主板芯片組等大規(guī)模集成電路的封裝領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。比如我們所熟知的Intel 845PE、VIA KT400芯片組等都是采用這一封裝技術(shù)的產(chǎn)品。

TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），其芯片面積與封裝面積之比不小于1：1.14，屬于BGA封裝技術(shù)的一個(gè)分支。該項(xiàng)革新技術(shù)的應(yīng)用可以使所有計(jì)算機(jī)中的DRAM內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，TinyBGA采用BT樹脂以替代傳統(tǒng)的TSOP技術(shù)，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。

TinyBGA封裝技術(shù)使每平方英寸的存儲量有了驚人的提升，在和128M TSOP封裝的144針SO-DIMM相同空間的PCB板上利用TinyBGA封裝方式可以制造256M內(nèi)存。以相同大小的兩片內(nèi)存模塊而言，TinyBGA封裝方式的容量比TSOP高一倍，但價(jià)格卻未有明顯變化。資料顯示，采用TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品以相同容量比較，體積只有TSOP封裝的三分之一；當(dāng)內(nèi)存模組的制程直徑小于0.25 m時(shí)TinyBGA封裝的成本要小于TSOP封裝成本。

TinyBGA封裝內(nèi)存的I/O端子是由芯片中心方向引出的，而TSOP則是由四周引出。這有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離，信號傳輸線的長度僅是傳統(tǒng)的TSOP技術(shù)的四分之一，因此信號的衰減便隨之減少。這樣不僅大幅度升芯片的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能，采用TinyBGA封裝芯片可抗高達(dá)300MHz的外額，而采用傳統(tǒng)TSOP封裝只可抗150MHz的外額。而且，用TinyBGA封裝的內(nèi)存，不但體積較之相同容量的TSOP封裝芯片小，同時(shí)也更薄(封裝高度小于0.8mm)，從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。于是，TinyBGA內(nèi)存便擁有更高的熱傳導(dǎo)效率，非常適用于長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)，穩(wěn)定性。經(jīng)過反復(fù)測試顯示，TinyBGA的熱抗阻比TSOP的低75％。很明顯與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。

除了TinyBGA之外，BLP技術(shù)也是目前市場上常用的一種技術(shù)，BLP英文全稱為Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技術(shù))，其芯片面積與封裝面積之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規(guī)范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進(jìn)一步的提高，制造成本也不高，廣泛用于SDRAMRDRAMDDR等新一代內(nèi)存制造上。隨著由于BLP封裝中關(guān)鍵部件塑封基底價(jià)格的不斷下降，BLP封裝內(nèi)存很快就會走入普通用戶的家庭。