由于在智能卡上采取新的安全措施，如引入生物計測數(shù)據(jù)，又由于人們傾向于增加智能卡的功能，因此，存儲在智能卡上的信息數(shù)量不斷增加。同時，功耗必須加以控制，尤其是在非接觸智能卡場合更是如此，因為非接觸智能卡可用的電源就是它能從本地射頻電磁場獲取的電能。皇家飛利浦電子公司用 0.18μm CMOS18 工藝制造的新型低壓低功耗 EEPROM 器件正好符合增加智能卡存儲容量和靈活性的這一行業(yè)需求。
　　飛利浦公司的字節(jié)可變 EEPROM 技術(shù)與該公司現(xiàn)有的嵌入式閃存技術(shù)完全兼容，從而使混合式閃存EEPROM 系統(tǒng)成為可能。飛利浦公司的這種新型存儲技術(shù)，由于其存儲器單元只有 1.2μm2，是常規(guī) EEPROM 的四分之一，所以可在符合智能卡成本約束條件的硅面積內(nèi)提供多達 256 KB 的 EEPROM。
　　飛利浦公司新型 CMOS18 型EEPROM 存儲器現(xiàn)在就可用于設(shè)計中，并得到該公司所有 CMOS18 設(shè)計工具的支持，其中包括通過標準 JTAG 接口提供存儲器測試工具。
　　網(wǎng)址：www.semiconductors.philips.com