國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）為中等功率的D類音頻放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款設計旨在改進音頻器件的效率、總諧波失真（THD）、功率密度等性能。D類放大器應用廣泛，從電池驅(qū)動的便攜式產(chǎn)品到高端的級放大器，從樂器到汽車和家庭多媒體系統(tǒng)均能適用。

在針對應用專門優(yōu)化的硅片上，IR的DirectFET™封裝技術(shù)通過降低引線電感提高了D類音頻放大器的性能，進而改善開關(guān)性能、降低電磁噪聲。由于效率提升，無需散熱器即可在8歐阻抗上運行100W功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積，設計布局更靈活，放大器成本也更低。

決定D類音頻性能的重要MOSFET參數(shù)包括器件導通電阻RDS(on)和柵電荷Qg，這兩者決定放大器效率。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示：“IR在同步整流和功率MOSFET開關(guān)電路上的技術(shù)適用于D類音頻拓撲。綜合了IR獨特的DirectFET封裝和特殊應用器件參數(shù)后， D類音頻性能封套將具備更高效率，更完善的EMI和更佳功率密度?！?/SPAN>

IRF6665 D類音頻DirectFET™ MOSFET 現(xiàn)已供貨。