安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出八款新型N溝道和P溝道、低壓溝道MOSFET，進(jìn)一步豐富了其業(yè)內(nèi)的溝道技術(shù)器件系列。這些器件降低了漏極和源極之間的電阻（RDS(on)），整體電源電路效率比其它同類封裝的解決方案提高30%。

新器件為小信號(hào)、20伏（V）MOSFET，特別適用于-430毫安（mA）至-950 mA的應(yīng)用，如功率負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器電路以及手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、PDA、尋呼機(jī)、媒體播放器和便攜式GPS系統(tǒng)中的電池管理等。這些新型的低壓MOSFET采用安森美半導(dǎo)體的溝道技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度。RDS(on)比目前同類封裝的MOSFET降低60％，可導(dǎo)通更大電流。

安森美半導(dǎo)體的溝道MOSFET有三種微?。?.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封裝選擇，節(jié)約了寶貴的板空間。因MOSFET極易受到靜電放電（ESD）的損害，且封裝越小，受ESD損害的可能性越大，安森美半導(dǎo)體所以將齊納二極管集成至溝道MOSFET門(mén)，提供優(yōu)異的ESD保護(hù)?？傊@些封裝、性能和集成度的改進(jìn)進(jìn)一步簡(jiǎn)化整體板設(shè)計(jì)并騰出額外的板空間。

- NTA4151PT1，NTE4151PT1，NTZS3151PT1和NTZD3152PT1：用于達(dá)850 mA高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的P溝道MOSFET。提供單模式和雙模式。

- NTA4153NT1，NTE4153NT1 和NTZD3154NT1：用于高達(dá)915 mA低端負(fù)載開(kāi)關(guān)的N溝道MOSFET。提供單模式和雙模式。

- NTZD3155CT1：互補(bǔ)N溝道和P溝道的組合，用于集成負(fù)載開(kāi)關(guān)或小電流直流至直流轉(zhuǎn)換。

每個(gè)器件有三種薄型的1.6mm×1.6mm封裝。六引腳高度0.6mm的SOT-563和三引腳高度0.8mm的 SC-89為扁平引腳封裝。三引腳高度1.0mm的SC-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能，并使高度得到改進(jìn)。

新器件每10,000件的批量單價(jià)在0.10美元至0.12美元之間。