如何創(chuàng)建power MOS版圖單元
出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-07-21 16:33:57
如何創(chuàng)建power MOS版圖單元
一個(gè)power MOS單元,其中外圍線為輔助測(cè)量線,只作測(cè)量之用。接下來要介紹的就是以簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式來計(jì)算出我們需要的單元尺寸。
1,畫好contact cell單元,計(jì)算兩個(gè)圖的半徑r1, r2;(外圍線為參照線,作測(cè)量之用)
a) r1=contact1 寬度 / sqrt(2) + contact1到gate1的距離
b) r2= contact2 寬度 / sqrt(2) + contact2到gate2的距離
2,設(shè)定contact 2的坐標(biāo)位置(修改屬性,直接輸入坐標(biāo))
a) 根據(jù)poly- to – poly得出contact 2的x 坐標(biāo) cont2_x 。
cont2_x’=c_w1+c_p_h1+c_p_h2
p_p1-(p_p/2)<0, p_p2-(p_p/2)>0
cont2_x=cont2_x’+(p_p/2-p_p1)
p_p1-(p_p/2)>0, p_p2-(p_p/2)<0
cont2_x=cont2_x’+(p_p/2-p_p2)
p_p1-(p_p/2)<0, p_p2-(p_p/2)<0
cont2_x=cont2_x’+p_p-p_p1-p_p2
b) 由 “ 圓心距離c1_c2 = r1 + r2 + path線寬” 得到y(tǒng) 坐標(biāo)cont2_y = sqrt (c1_c2^2 – cont2_x ^2) 。
3,計(jì)算path斜率
a) Y=-a(X-b), a= cont2_x/cont2_y,b=c1_c2*(r1+半個(gè)線寬)/cont2_x
4,計(jì)算path起點(diǎn)與終點(diǎn)的x坐標(biāo)
a) p2_x = contact1到gate1的距離 + (contact1寬度+線寬)/2
b) p1_x=cont2_x – contact2到gate2的距離 - (contact2寬度+線寬)/2
5,代入公式得到拐點(diǎn)y坐標(biāo)
6,并作手工調(diào)整形成完整的單元
7,作為instance調(diào)入
計(jì)算MOS有效尺寸請(qǐng)閱讀 Dracula中MOS尺寸的計(jì)算
單元的面積 area = cont2_x * cont2_y ,外圍為重合部分需要根據(jù)row, column的數(shù)目計(jì)算。這樣就可以了解到畫出希望的MOS尺寸需要占用多大的面積。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 什么是氫氧燃料電池,氫氧燃料電池的知識(shí)介紹2025/8/29 16:58:56
- SQL核心知識(shí)點(diǎn)總結(jié)2025/8/11 16:51:36
- 等電位端子箱是什么_等電位端子箱的作用2025/8/1 11:36:41
- 基于PID控制和重復(fù)控制的復(fù)合控制策略2025/7/29 16:58:24
- 什么是樹莓派?一文快速了解樹莓派基礎(chǔ)知識(shí)2025/6/18 16:30:52
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









