為了在一個(gè)基片上制造出多個(gè)器件，必須采用隔離措施，pn結(jié)隔離是一種常用的工藝。在pn結(jié)隔離工藝中，典型NPN集成晶體管的結(jié)構(gòu)是四層三結(jié)構(gòu)，即NPN管的高濃度n型擴(kuò)散發(fā)射區(qū)-NPN管的p型擴(kuò)散基區(qū)-n型外延層（NPN管的集電區(qū)）-p型襯底四層，以及四層之間的三個(gè)pn結(jié)這樣的工藝結(jié)構(gòu)。

pn結(jié)隔離
pn結(jié)隔離是利用反向pn結(jié)的大電阻特性實(shí)現(xiàn)集成電路中各元器件間電性隔離方法。常規(guī)pn結(jié)隔離在工藝上是通過隔離擴(kuò)散擴(kuò)穿外延層而與p襯底連通上實(shí)現(xiàn)的，（或稱各隔離墻均有效）；應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，采用常規(guī)pn結(jié)隔離工藝制造的集成電路在使用時(shí)必須在電性能給予保證，即p襯底連接電路電位（保證隔離pn結(jié)二極管處于反向偏置）。
集成NPN管的有源寄生效應(yīng)
四層三結(jié)結(jié)構(gòu) ：典型集成晶體管的四層三結(jié)結(jié)構(gòu)--指NPN管的高濃度n型擴(kuò)散發(fā)射區(qū)N+-NPN管的p型擴(kuò)散基區(qū)-n型外延層（NPN管的集電區(qū)）nepi （ epitaxial 外延的）-p型襯底四層p-Si ，以及四層之間的三個(gè)pn結(jié)這樣的工藝結(jié)構(gòu)EB（ Emitter—Base ）結(jié) 、BC（ Base-Collector ）結(jié)、 CS結(jié)（ Collector-Substrate ） 。
寄生PNP管處于放大區(qū)的三個(gè)條件：
(1) EB結(jié)正偏（即NPN管的BC 結(jié)正偏）
(2) BC結(jié)反偏（即NPN管的CS 結(jié)反偏）
(3) 具有一定的電流放大能力（一般 pnp=1~3）
其中，條件(2)永遠(yuǎn)成立，因?yàn)閜n結(jié)隔離就是要求襯底P+隔離環(huán)接到電位。條件(3)一般也很容易達(dá)到。條件(1)能否滿足則取決于NPN管的工作狀態(tài)。

（2）可采用外延層摻金工藝，引入深能級(jí)雜質(zhì)，降低少子壽命，從而降低 。摻金工藝是在NPN管集電區(qū)摻金（相當(dāng)于在PNP管基區(qū)摻金）。摻金的作用，使PNP管基區(qū)中高復(fù)合中心數(shù)增加，少數(shù)載流子在基區(qū)復(fù)合加劇，由于非平衡少數(shù)載流子不可能到達(dá)集電區(qū)從而使寄生PNP管電流放大系數(shù)大大降低。
（3）還應(yīng)注意，NPN管基區(qū)側(cè)壁到P+隔離環(huán)之間也會(huì)形成橫向PNP管，必須使NPN管基區(qū)外側(cè)和隔離框保持足夠距離。

集成電路中的無源寄生將影響集成電路的瞬態(tài)特性，而無源寄生元件主要是寄生結(jié)電容。pn結(jié)電容的大小與結(jié)的結(jié)構(gòu)和所處的狀態(tài)有關(guān)，即與pn結(jié)上所加的偏壓有關(guān)；與pn結(jié)的面積有關(guān)，在pn結(jié)的面積計(jì)算時(shí)，注意其側(cè)面積為四分之一圓柱面積，這是由于擴(kuò)散形成電性區(qū)時(shí)存在橫向擴(kuò)散所致；且與pn結(jié)面是側(cè)面還是底面有關(guān)。因此，在考慮計(jì)算寄生結(jié)電容時(shí)，必須和pn 結(jié)的實(shí)際結(jié)構(gòu)結(jié)合起來，還必須和pn 結(jié)在某個(gè)瞬態(tài)過程中實(shí)際電性狀態(tài)變化結(jié)合起來。

介質(zhì)隔離-使用絕緣介質(zhì)取代反向pn結(jié)，實(shí)現(xiàn)集成電路中各元器件間電性隔離方法。
等平面隔離工藝是一種混合隔離工藝，在實(shí)現(xiàn)集成電路中各元器件間電性隔離時(shí)，既使用了反向pn結(jié)的大電阻特性，又使用了絕緣介質(zhì)電性絕緣性質(zhì)的方法。