智能功率電路是指在一個(gè)芯片上把電壓的CMOS的VLSI CPU、邏輯電路和模擬電路和高壓功率器件集成在一起。目前，智能功率電路的集成度還很低，只是幾個(gè)邏輯電路和高壓功率器件集成在一起。SOI襯底可以靈活的把雙極性器件、高壓器件、低壓器件、SOI器件或其它器件集成在同一個(gè)芯片上。圖1.28^[45]給出了一個(gè)改進(jìn)后的智能功率電路的工藝流程。

圖1.28 鍵合智能功率電路

（1）在低摻雜的n^-硅片上局部腐蝕，形成深度~3μm的淺槽，離子注入在淺槽的底部的下面形成N⁺的掩埋層。接著，熱氧化使硅片的表面生長(zhǎng)一層厚度大于2µm的氧化層。

（2）拋去氧化后硅片表面的氧化層，得到一個(gè)足夠光滑平整的拋光面。

（3）把拋光的硅片與一個(gè)n^-/n⁺的外延或鍵合的支撐硅片一起清洗，用稀釋的HF酸漂去表面的本征氧化層，甩干后鍵合在一起，在1100℃和N₂氣環(huán)境下高溫退火，使鍵合界面完全成為一體。

（4）把低摻雜的n^-硅片研磨減薄和拋光到所要求的厚度，得到器件的有源區(qū)。

（5）通過(guò)V型槽腐蝕、熱氧化、多晶硅回填和的拋光工藝，就可以通過(guò)V型槽的絕緣介質(zhì)隔離把SOI區(qū)和體硅區(qū)完全隔離開。SOI區(qū)可以制備各種低壓器件，體硅區(qū)可以制備各種高壓功率器件。

利用這種技術(shù)正在研制由一個(gè)n-DMOSFET和一個(gè)~0.6Ω、開關(guān)速度為650 KHz的正常開電阻組成的600V、5 A的PWM開關(guān)集成電路^[45]。