硅片邏輯?
出處:戶紅亮 發(fā)布于:2007-04-29 10:05:10
理想開關(guān)與布爾運(yùn)算
MOSFET開關(guān)
基本的CMOS邏輯門
非門(NOT門)
CMOS或非門(NOR門)
CMOS與非門(NAND門)
CMOS復(fù)合邏輯門
結(jié)構(gòu)化邏輯設(shè)計(jì)
異或門(XOR)和異或非門(XNOR)
一般化的AOI和OAI邏輯門
傳輸門(TG)電路
邏輯設(shè)計(jì)
時(shí)鐘控制和數(shù)據(jù)流控制
參考資料
習(xí)題
------ CMOS集成電路的物理結(jié)構(gòu)
集成電路工藝層
互連線的電阻和電容
MOSFET
硅的導(dǎo)電性
nFET和pFET
FET中的電流
柵電容的驅(qū)動(dòng)
CMOS工藝層
FET陣列設(shè)計(jì)
基本門設(shè)計(jì)
復(fù)合邏輯門
一般性討論
小結(jié)
參考資料
習(xí)題
------ CMOS集成電路的制造
硅工藝概述
本章概要
材料生長與淀積
二氧化硅
氮化硅
多晶硅
金屬化
摻雜硅層
化學(xué)機(jī)械拋光
刻蝕
潔凈間
CMOS工藝流程
工藝改進(jìn)
設(shè)計(jì)規(guī)則
物理極限
電氣規(guī)則
參考資料
第 章 物理設(shè)計(jì)的基本要素
基本概念
CAD工具
基本結(jié)構(gòu)的版圖
n阱
有源區(qū)
摻雜硅區(qū)
MOSFET
有源區(qū)接觸
金屬層
通孔和多層金屬
防止閂鎖現(xiàn)象
9 版圖編輯器
單元概念
FET的尺寸確定和單位晶體管
邏輯門的物理設(shè)計(jì)
NOT單元
與非門(NAND)和或非門(NOR)單元
復(fù)合邏輯門
關(guān)于版圖的小結(jié)
設(shè)計(jì)層次化
參考資料
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