.離心噴淋式化學(xué)清洗拋光硅片
出處:beijin 發(fā)布于:2007-04-29 10:07:50
系統(tǒng)內(nèi)可按不同工藝編制貯存各種清洗工藝程序,常用工藝是:
FSI“A”工藝: SPM+APM+DHF+HPM
FSI“B”工藝: SPM+DHF+APM+HPM
FSI“C”工藝: DHF+APM+HPM
RCA工藝: APM+HPM
SPM .Only工藝: SPM
Piranha HF工藝: SPM+HF
上述工藝程序中:
SPM=H2SO4+H2O2 4:1 去有機雜質(zhì)沾污
DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物,金屬沾污
APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1:1:5或 0.5:1:5
去有機雜質(zhì),金屬離子,顆粒沾污
HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1:1:6
去金屬離子Al、Fe、Ni、Na等
如再結(jié)合使用雙面檫洗技術(shù)可進一步降低硅表面的顆粒沾污。
下一篇:FPGA 簡介
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- EDA技術(shù)工具鏈與全流程設(shè)計運維指南2026/1/5 10:28:51
- PLC程序現(xiàn)場疑難問題排查與深度優(yōu)化指南2025/12/24 14:36:36
- PLC程序現(xiàn)場調(diào)試與優(yōu)化實操指南2025/12/24 14:29:57
- 工業(yè)PLC模擬量信號采集:調(diào)理技術(shù)與抗干擾工程方案2025/12/15 14:39:08
- PLC設(shè)備如何選型2025/9/5 17:15:14









