飛思卡爾的RF解決方案
出處:gdengp 發(fā)布于:2007-04-29 09:28:40
飛思卡爾的RF解決方案
——在網(wǎng)絡(luò)解決方案中發(fā)揮著重要作用
當(dāng)您開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品來滿足客戶的無線連接需求時(shí),請(qǐng)選用飛思卡爾的RF解決方案,依靠我們實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。
飛思卡爾開創(chuàng)先河
飛思卡爾的RF解決方案是RF技術(shù)的者。實(shí)際上,它占有50%以上的RF功率半導(dǎo)體市場(chǎng),超過10億瓦的功率由飛思卡爾提供,并且所有主要電信公司都是它的客戶一一您可以完全信任飛思卡爾。我們提供性能超群的產(chǎn)品、可靠的工具、隨時(shí)提供幫助的支持團(tuán)隊(duì),面面俱到。飛思卡爾的RF解決方案提供創(chuàng)新的封裝方法,可測(cè)量的性能和安全、冗余的生產(chǎn)特點(diǎn),它是您當(dāng)前和未來所需的的RF解決方案。
為何選擇飛思卡爾?
●技術(shù)創(chuàng)新
引領(lǐng)Power RFLDMOS發(fā)展路線圖
2-Tone PEP(W),IMD3@-30dBc
飛思卡爾的功率RF LDMOS的發(fā)展宏圖
1994年,摩托羅拉半導(dǎo)體(現(xiàn)為飛思卡爾半導(dǎo)體)率先推出LDMOS技術(shù),在功率RF領(lǐng)域處
于地位。
例如,飛思卡爾新型的LDMOS平臺(tái)在標(biāo)準(zhǔn)的LDMOS設(shè)備上結(jié)合高性能的CMOS和集成無源元件,實(shí)現(xiàn)RF功率放大器設(shè)計(jì)。
作為RFLDMOS的先驅(qū),飛思卡爾取得眾多成績(jī),包括:
-家在LDMOS技術(shù)上開發(fā)射頻功率晶體管的公司
-家在陶器和塑料包裝中實(shí)施行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的公司
-家在射頻設(shè)備上安裝靜電釋放保護(hù)的公司
-家提供支持幾百年“平均故障間隔時(shí)間”射頻產(chǎn)品的公司。
-家為經(jīng)濟(jì)高效的塑料包裝提供2GHz離散射頻功率晶體管,能夠承受達(dá)200℃的操作接合溫度。
第6代RF LDMOS功率晶體管
為了拓展其在無線基礎(chǔ)架構(gòu)RF技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)和創(chuàng)新地位,飛思卡爾半導(dǎo)體在其LDMOS產(chǎn)品線中增加了第6代RF(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)功率晶體管,用于2.5G和3G無線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用。本系列包括高性能、高功率陶瓷設(shè)備和經(jīng)濟(jì)高效的2GHz塑料射頻晶體管,可以適應(yīng)200℃的內(nèi)核溫度。
飛思卡爾廣泛的RFLDMOS晶體管系列產(chǎn)品使無線基礎(chǔ)架構(gòu)的設(shè)計(jì)者能經(jīng)濟(jì)高效地開發(fā)出高性能的蜂窩基站放大器,支持GSM、EDGE、CDMA和W-CDMA技術(shù)。作為L(zhǎng)DMOS技術(shù)的,飛思卡爾設(shè)計(jì)出射頻功率晶體管,為無線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用提供所需的高功率密度、卓越的射頻性能、高質(zhì)量和高可靠性,以及設(shè)備連續(xù)性和高效率。
無線基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備生產(chǎn)商可以繼續(xù)靈活地從同一個(gè)可靠的大量半導(dǎo)體供應(yīng)商處選擇高電壓的陶瓷或塑料射頻晶體管。飛思卡爾的第6代LDMOS陶瓷系列初包括MRF6S19100H/S、MRF6S19140H/S、MRF6S21100H/S和MRF6S21140H/S設(shè)備。它的第6代LDMOS塑料產(chǎn)品系列具有可靠、強(qiáng)大、經(jīng)濟(jì)的特點(diǎn),是陶瓷產(chǎn)品的替換品。塑料產(chǎn)品系列初包括MRF6S19060N/NB、MRF6S19100N/NB、MRF6S21060N/NB和MRF6S21100N/NB設(shè)備。
飛思卡爾為射頻設(shè)計(jì)者提供全面的模型庫(kù)和仿真工具,在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)環(huán)境中全面幫助識(shí)別射頻產(chǎn)品。該模型和仿真功能可以縮短設(shè)計(jì)和面市的時(shí)間。
●使用方便、周期短
如果您有一項(xiàng)任務(wù)要做,并且希望憑借某些元件更快地完成任務(wù),飛思卡爾RF解決方案就能幫您實(shí)現(xiàn):
-無與倫比的集成程度;
-高終端阻抗
-業(yè)內(nèi)的工具箱
-支持團(tuán)隊(duì)
可測(cè)量的性能優(yōu)勢(shì)和設(shè)備的統(tǒng)一性
飛思卡爾在無線基礎(chǔ)架構(gòu)功率RF領(lǐng)域居于首位的原因在于:我們提供明顯高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的性能,在大多數(shù)情況下,我們的產(chǎn)品性能高出15—30%。例如,飛思卡爾的RF可以隨時(shí)擴(kuò)展到更高功率,提供高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品2倍的MTBF(平均故障間隔時(shí)間),并且我們的增益和線性值通常比的其他資源高出3dB。
至于設(shè)備的統(tǒng)一性,飛思卡爾堅(jiān)持嚴(yán)格的生產(chǎn)流程,實(shí)現(xiàn)更好的質(zhì)量,并根據(jù)不同應(yīng)用進(jìn)行不同的測(cè)試,且設(shè)備具有靜電放電(ESD)保護(hù)。
安全的動(dòng)態(tài)供應(yīng)
需要時(shí),如果您的部件是安全可用的,則說明技術(shù)和應(yīng)用創(chuàng)新在起作用。我們的跟蹤記錄用事實(shí)證明:我們具有高達(dá)96%的準(zhǔn)時(shí)交付能力。
在設(shè)計(jì)流程方面,我們?yōu)槟鷾?zhǔn)備有隨時(shí)可用的樣本。在生產(chǎn)方面,我們至少保持6個(gè)月的凍結(jié)存貨,以支持向上覆蓋,并有多個(gè)后端組裝站點(diǎn)。我們還提供有余的生產(chǎn)和存貨系統(tǒng),具有水平的流程控制。
●性能出眾的產(chǎn)品
全新的LDMOS將高性能CMOS、集成無源設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)LDMOS集成在一起,以支持射頻功率放大器的設(shè)計(jì)。
創(chuàng)新封裝使其與眾不同
功率RF的者,飛思卡爾繼續(xù)進(jìn)行封裝創(chuàng)并不斷創(chuàng)建新標(biāo)準(zhǔn)。
塑料封裝的優(yōu)勢(shì)
-全自動(dòng)設(shè)備—組裝,保持性能一致;
-可重新使用的版本縮短放大器生產(chǎn)周期:
-所有外觀尺寸的機(jī)械誤差為50微米,提高一致性和放大器封裝效果;
-30年汽車行業(yè)的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),極高的可靠性:
-提供用戶友好的應(yīng)用:安裝方便,可重復(fù)使用的版本,拾取放置方便;
-系統(tǒng)成本更低:符合客戶降低價(jià)格和用量規(guī)劃方面的需求;
-大功率塑料分立式設(shè)備-不僅性能優(yōu)良且節(jié)約成本;
-可生產(chǎn)性,一致性,標(biāo)準(zhǔn)化。
傳統(tǒng)的陶瓷封裝
-熱阻更低的散熱片
-阻抗更高,與LTCC/HTCC匹配
-功率更高:大于200W
-金含量低的可軟焊漆
-成本更低的結(jié)構(gòu)體系
-自動(dòng)化的高容量組裝/測(cè)試
-多個(gè)生產(chǎn)廠
廣泛的RF產(chǎn)品組合
飛思卡爾提供廣泛的RF產(chǎn)品組合,為無線基礎(chǔ)架構(gòu)市場(chǎng)服務(wù)。其RF解決方案在當(dāng)前和未來RF技術(shù)領(lǐng)域居于地位,是正在開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品的開發(fā)人員的理想之選,能滿足客戶無線連接的需求。飛思卡爾是RF技術(shù)的先驅(qū),并在未來繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新,提供顯著高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品性能…多數(shù)情況下,高出15-30%。
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