對(duì)衛(wèi)星和蜂窩基站來(lái)說(shuō)，一個(gè)由Toshiba公司提供的GaN（氮化鎵）功率場(chǎng)效應(yīng)管（FET）在輸出功率上超過(guò)了GaAs（砷化鎵）器件，功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的額定輸出功率大約為90W/6 GHz和30W/14 GHz，而相比之下，GaN的飽和電子速度、介質(zhì)擊穿電壓和工作溫度范圍都要高于GaAs。對(duì)于在GHz級(jí)工作頻率條件下實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率而言，這些因素是很重要的。
這款器件采用了一種外延層結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)化的FET布局和尺寸設(shè)置，并運(yùn)用了一種旨在實(shí)現(xiàn)低接觸電阻和低柵極漏電流的新型表面處理工藝。Toshiba公司的生產(chǎn)過(guò)程還使用了一種改進(jìn)版本的傳統(tǒng)步進(jìn)工藝，與C波段GaN器件常用的電子束平板印刷術(shù)相比，它更加適用于大批量生產(chǎn)。一個(gè)GaN功率FET芯片的大小為2.92毫米×0.71毫米，一個(gè)包含4顆芯片的封裝器件（如照片中所示）的外部尺寸為24.5毫米×17.4毫米。