通用光纖隔離驅(qū)動(dòng)在大功率IGBT中的應(yīng)用
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-06-29 11:40:28
O 引言
自MOSFET及IGBT問世以來,電壓控制型電力電子器件,特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高,電流越做越大。同時(shí),與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣,電源設(shè)備變換功率越來越大,電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí)。于是,光纖的使用也就成為了必然。
1 ICBT驅(qū)動(dòng)的幾種方式
不同功率等級(jí)的IGBT,對驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同,表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較。
由表l可知,在大功率電力變換裝置中只能使用變壓器或光纖隔離,其中尤以光纖隔離為選擇。
2 光纖收發(fā)器的種類
目前,大部分光纖收發(fā)器均使用Agilen公司的幾種產(chǎn)品型號(hào)。具體如表2(表中所列數(shù)據(jù)均為O~70℃使用條件,特殊標(biāo)注除外)所列。
一般情況下,HFBR一1522,HFBR一2522使用較多,電路連接。在大功率電力變換設(shè)備中,控制板與大功率模塊驅(qū)動(dòng)板之間1MBd的信號(hào)傳輸率已能滿足要求,而且45m的距離也已足夠使用,在實(shí)際使用中,光纖的長度可依要求選擇。
3 光纖傳輸在驅(qū)動(dòng)電路中的具體應(yīng)用
我們以Concept公司的專用高壓IGBT驅(qū)動(dòng)板(ItVI)ISD418F2-FZ2400R17KF6為例,描述其具體應(yīng)用。驅(qū)動(dòng)板的驅(qū)動(dòng)對象是2400V/1700AIGBT,這種組合具有所有IPM的功能。
4 結(jié)語
通過引入光纖傳送模式,控制信號(hào)通過光纖由控制板傳輸給驅(qū)動(dòng)板,狀態(tài)信號(hào)則由驅(qū)動(dòng)板傳輸給控制板,完全杜絕了干擾問題,既實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)控制,又監(jiān)測了IGBT的工作狀態(tài),提高了工作的可靠性。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 什么是氫氧燃料電池,氫氧燃料電池的知識(shí)介紹2025/8/29 16:58:56
- SQL核心知識(shí)點(diǎn)總結(jié)2025/8/11 16:51:36
- 等電位端子箱是什么_等電位端子箱的作用2025/8/1 11:36:41
- 基于PID控制和重復(fù)控制的復(fù)合控制策略2025/7/29 16:58:24
- 什么是樹莓派?一文快速了解樹莓派基礎(chǔ)知識(shí)2025/6/18 16:30:52
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題









