采用SAR結(jié)構(gòu)的8通道12位ADC設(shè)計(jì)
出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-06-29 11:30:22
引言
ADC是模擬系統(tǒng)與數(shù)字系統(tǒng)接口的關(guān)鍵部件,長(zhǎng)期以來一直被廣泛應(yīng)用于通信、軍事及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。隨著計(jì)算機(jī)和通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,ADC在便攜式設(shè)備上的應(yīng)用發(fā)展迅速,正逐步向高速、高和低功耗的方向發(fā)展。
目前市場(chǎng)上占統(tǒng)治地位的ADC的類型主要包括:逐次逼近型(SAR)、S-菩?、留u咝?。S-菩涂梢允迪趾芨叩姆直媛?,留u咝涂梢員Vず芨叩牟裳俾?,诊喗种体系结蛊堧H俏寺隳持痔囟ㄐ棖蟮淖菹蚴諧《杓頻?。SAR ADC是采樣速率低于5MSPS的中高分辨率應(yīng)用的常見結(jié)構(gòu),由于其實(shí)質(zhì)上采用的是二進(jìn)制搜索算法,內(nèi)部電路可以運(yùn)行在幾MHz,采樣速率主要由逐次逼近算法確定。
本文基于上華0.6mm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)8通道12位串行輸出A
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
SAR ADC電路結(jié)構(gòu)主要包含五個(gè)部分:采樣保持電路、比較器、DAC、逐次逼近寄存器和邏輯控制單元。轉(zhuǎn)換中的逐次逼近是按對(duì)分原理,由控制邏輯電路完成的。其工作過程如下:?jiǎn)?dòng)后,控制邏輯電路首先把逐次逼近寄存器的位置1,其它位置0,將其存儲(chǔ)到逐次逼近寄存器,然后經(jīng)數(shù)模轉(zhuǎn)換后得到一個(gè)電壓值(大小約為滿量程輸出的一半)。這個(gè)電壓值在比較器中與輸入信號(hào)進(jìn)行比較,比較器的輸出反饋到DAC,并在下比較前對(duì)其進(jìn)行修正。即輸入信號(hào)的抽樣值與 DAC的初始輸出值相減,余差被比較器量化,量化值再來指導(dǎo)控制邏輯是增加還是減少DAC的輸出;然后,再次從輸入抽樣值中減去這個(gè)新的DAC輸出值。不斷重復(fù)這個(gè)過程,直至完成一位數(shù)字的實(shí)現(xiàn)。由此可見,這種數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)變始終處于邏輯控制電路的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)之下,逐次逼近寄存器不斷進(jìn)行比較和移位操作,直到完成有效位(LSB)的轉(zhuǎn)換。這時(shí)逐次逼近寄存器的各位值均已確定,轉(zhuǎn)換操作完成。
由于本設(shè)計(jì)針對(duì)的是串行多路通道轉(zhuǎn)換技術(shù),所以本文在SAR ADC基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,在模擬輸入前端加入多路復(fù)用模塊,并在輸出后端加入并/串轉(zhuǎn)換電路。
為實(shí)現(xiàn)信號(hào)的快速轉(zhuǎn)換,SAR ADC中重要部件是采樣保持電路、比較器和DAC,等效輸入電路。在獲取數(shù)據(jù)期間,被選信道作為輸入給電容CHOLD充電,獲取時(shí)間結(jié)束后, T/H開關(guān)打開,電荷維持在CHOLD上作為信號(hào)樣本,與DAC中產(chǎn)生的模擬信號(hào)進(jìn)行比較,將比較結(jié)果輸入并/串輸出寄存器,在三態(tài)總線控制下輸出數(shù)字位。
電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
采樣/保持電路的性能高低限定了整個(gè)ADC的速度和,在設(shè)計(jì)中采用雙差分底板采樣技術(shù),雙差分結(jié)構(gòu)以獲得優(yōu)良的AC性能,另外底板采樣技術(shù)的應(yīng)用也極大地減小了電荷注入、時(shí)鐘饋通以及有限帶寬所造成的誤差,優(yōu)化了整體性能。其中比較器的實(shí)現(xiàn)采用3個(gè)放大器級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu),這樣不僅極大提高了增益,而且減小了比較器的設(shè)計(jì)難度,提高了電路性能。下面重點(diǎn)講述DAC的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
SAR ADC的速度和分辨率主要受反饋電路中DAC的速度、分辨率和線性的限制,設(shè)計(jì)DAC是本次設(shè)計(jì)的重點(diǎn)和關(guān)鍵。傳統(tǒng)的SAR ADC多采用簡(jiǎn)單的電阻分壓式或電容電荷型結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。電阻分壓式轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是只需要用到一種電阻,容易保證制造,即使電阻出現(xiàn)較大的誤差,也不會(huì)出現(xiàn)非單調(diào)性。但n位二進(jìn)制輸入的電阻分壓式數(shù)模轉(zhuǎn)換器需要2n個(gè)分壓電阻以及同樣數(shù)量的模擬開關(guān),所以隨著位數(shù)的增加,其所需元器件的數(shù)量會(huì)呈幾何級(jí)數(shù)增加,這是它的缺點(diǎn)。單獨(dú)用這種結(jié)構(gòu)來做一個(gè)DAC的情況比較少見,但是它卻在8位以下的SAR ADC中常用到。電容電荷型DAC的優(yōu)點(diǎn)是較高,但缺點(diǎn)是面積大,對(duì)寄生電容敏感,而且還需要兩相時(shí)鐘,增加了設(shè)計(jì)制造的復(fù)雜度。
本文設(shè)計(jì)的DAC采用復(fù)合結(jié)構(gòu)。由于本芯片是一個(gè)12位的ADC,要求DAC也要達(dá)到12位,而且對(duì)于位數(shù)較高的轉(zhuǎn)換器,從芯片面積和性能方面綜合考慮,組合結(jié)構(gòu)較單一結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)顯著。因而本文采用5+3+4復(fù)合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn),即高5位MSB采用電容網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn),中間3位采用電阻網(wǎng)絡(luò),而低4位LSB仍用電容網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn),這樣設(shè)計(jì)避免了不同結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)上的不足,結(jié)合了各自的優(yōu)點(diǎn),較好的實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)目標(biāo)。此DAC的優(yōu)點(diǎn)是具有一定的單調(diào)性,因?yàn)殡娮璐举|(zhì)上是單調(diào)的,而且3個(gè)數(shù)字位只有一種阻值的電
設(shè)計(jì)仿真
根據(jù)電路功能及指標(biāo)要求,在Cadence環(huán)境下用Hspice對(duì)電路進(jìn)行仿真。通過控制邏輯控制,實(shí)現(xiàn)12位數(shù)字的轉(zhuǎn)換結(jié)果,選擇第8通道對(duì)2.5V電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換的輸出波形,實(shí)現(xiàn)了模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的正確轉(zhuǎn)換。12位ADC的工作溫度范圍為-55℃~125℃,仿真條件為VDD=5.0V,VSS=0V,VREF=4.096V,VAGND=0V。基于CSMC 0.6mm BiCMOS工藝完成了版圖設(shè)計(jì),面積為2.5×2.2mm2。
結(jié)語
本文基于CSMC 0.6mm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)12位串行輸出ADC,采用電壓定標(biāo)和電荷定標(biāo)組合式數(shù)模轉(zhuǎn)換器技術(shù),比較器的實(shí)現(xiàn)采用多級(jí)級(jí)聯(lián)放大器形式,通過合理的時(shí)序控制,實(shí)現(xiàn)了較好的性能,轉(zhuǎn)換速率為7.5ms,正常工作電流2.8mA,增益誤差小于2LSB,線性誤差小于1個(gè)LSB,版圖面積為2.5× 2.2mm2,此轉(zhuǎn)換器對(duì)于消費(fèi)電子、汽車電子及便攜式產(chǎn)品等方面應(yīng)用是具有較好性價(jià)比的選擇。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 工業(yè)5G技術(shù)在智能制造中的應(yīng)用與實(shí)踐解析2025/12/31 10:57:21
- 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)選型與現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)指南2025/12/18 10:48:14
- 無線傳輸電路基礎(chǔ),射頻前端設(shè)計(jì)、天線匹配與鏈路預(yù)算計(jì)算2025/10/27 13:55:50
- ASK 解調(diào)的核心要點(diǎn)與實(shí)現(xiàn)方式2025/9/5 16:46:17
- 雙偶極子天線:結(jié)構(gòu)、特性與應(yīng)用全解析2025/9/3 10:29:21
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









