圖：2使用片外溫度傳感器的電路連接圖

圖2顯示了使用片外溫度傳感器的電路連接圖。圖中用一個(gè)襯底三極管作為片外傳感器，用以監(jiān)控微處理器的溫度（應(yīng)注意的是如果使用的是分立式三極管，其集電極不應(yīng)接地而是要連接在基極上）。為了避免測(cè)量中對(duì)地噪聲的干擾，傳感器的負(fù)端接三極管后再與地連接，這是利用二極管的內(nèi)部偏壓特性。電容C1可被視為噪聲濾波器，其平均值可取2200pF（但不要超過3000pF）。

　　為了測(cè)量ΔVbe可用一開關(guān)在I與N×I之間進(jìn)行切換，其輸出通過一個(gè)65kHz低通濾波器去除噪聲。然后，經(jīng)過削波漂移補(bǔ)償放大器（chopper-stabilized amplifier）進(jìn)行信號(hào)放大和波形整流，在經(jīng)AD轉(zhuǎn)換后以8位二進(jìn)制補(bǔ)碼形式輸出。

片內(nèi)溫度傳感器的信號(hào)處理過程與此相同。

2. 溫度數(shù)據(jù)初始化

　　ADC的LSB（有效位，Least Significant Bit）與1℃相關(guān)，所以理論上ADC的測(cè)量范圍是從-128℃到+127℃；但由于器件的轉(zhuǎn)換率的限制，實(shí)際上其測(cè)量范圍是從-65℃到+127℃。具體數(shù)據(jù)如表2所示。

3. 寄存器

　　ADM1021有9個(gè)寄存器，分別存儲(chǔ)片內(nèi)/片外溫度測(cè)量的結(jié)果、片內(nèi)/片外溫度限定值的上限和下限以及器件的配置參數(shù)。表3給出了這些寄存器的具體說明。

　　ADM1021的寄存器有雙重地址，其讀地址和寫地址不同，任何試圖對(duì)讀地址寫操作或?qū)懙刂纷x操作都將導(dǎo)致非法錯(cuò)誤。此外，寄存器中0Fh以上的地址保留用做出廠時(shí)測(cè)試使用或留待以后使用，不可以被寫入。

4. 串行總線接口

　　ADM1021的控制是依靠串行總線完成的，ADM1021可以借此與從屬部件器件相連，也可被主控器件控制。

5. 地址引腳

　　通常，每個(gè)SMBus器件有一個(gè)7位地址，當(dāng)主控器件將地址通過總線送出后，從屬器件會(huì)有所應(yīng)答。ADM1021有兩個(gè)地址引腳ADD0和ADD1可以選擇使用，故幾個(gè)ADM1021可以使用一條總線以避免其他器件的影響。由于地址引腳有接地、空接、與VDD相連三態(tài)可以選擇，所以共有9種不同的可能地址。見表4所示。

6. 工作周期

　　串行總線上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)以8位作為一個(gè)有效位，由7位地址位和1個(gè)R/W位組成。在SDATA為低后連續(xù)9個(gè)SCLK脈沖中執(zhí)行一個(gè)寫/讀操作。在R/W為0時(shí)，主機(jī)向從屬器件寫入數(shù)據(jù)；在R/W為1時(shí)，主機(jī)從從屬器件中讀入數(shù)據(jù)。值得注意的是ADM1021的寫地址和讀地址不同，如果混淆兩個(gè)地址會(huì)產(chǎn)生非法錯(cuò)誤。

（1）寫操作

　　ADM1021有兩種寫操作，一種是先向地址指針寄存器中寫入準(zhǔn)備寫入的寄存器地址，在將數(shù)據(jù)寫入這個(gè)選定的寄存器中。其時(shí)序圖見所示。

另一種寫操作是只向地址指針寄存器寫入數(shù)據(jù)，其時(shí)序圖見圖4所示。

（2） 讀操作

ADM1021的讀操作與寫操作類似，只是R/W為1，其時(shí)序圖見所示。

應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. 應(yīng)用電路

　　圖6是ADM1021的典型應(yīng)用電路，使用分立式三極管作傳感器并使用雙絞線屏蔽網(wǎng)與之相連，其中引腳SCLK、SDATA、ALERT在不使用時(shí)必須掛起。

　　引腳SCLK和SDATA可以通過接口直接與I/O控制器的SMBus相連，如的連接圖所示。圖中使用的I/O控制器是Intel PCI ISA IDE Xcelerator（PⅡX4）芯片8237 1AB。

2. 線路布局

　　D +、D-應(yīng)相互靠近、平行布線，并需提供地線；在引腳VDD處連接0.1μF的旁路電容；在D+之后連接2200pF的輸入濾波電容，這些都可以減少噪聲對(duì)測(cè)量的影響。

：寫操作1時(shí)序圖

：寫操作2時(shí)序圖

圖：5讀操作時(shí)序圖