有些應(yīng)用場(chǎng)合需要使用一個(gè)熱插拔控制器、一個(gè)斷路器或者兩者都要使用，以適應(yīng)雙極性直流輸入電源干線。在某些使用熱插拔控制器的情況下，這種要求僅僅出于對(duì)起動(dòng)電流的考慮。要消除連接器的應(yīng)力和電源干線的干擾，就必須控制起動(dòng)電流。另外一些應(yīng)用場(chǎng)合在某一電源因某種原因發(fā)生故障時(shí)就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。砷化鎵FET放大器的偏置電源就是一個(gè)范例。如果你去掉負(fù)的柵極偏壓，那你也得去除正的漏極電源；否則，放大器就會(huì)因漏極電流過(guò)大而自行毀壞。但你只要使用一個(gè)單通道熱插控制器，就可滿足上述這兩個(gè)要求。

　　圖1，所示電路以浮動(dòng)方式使用TPS2331（即IC₁）。該電路使得IC的接地與負(fù)輸入電壓有關(guān)。 如果正干線電壓太低或負(fù)干線電壓太高，則該電路在VSENSE引腳上達(dá)不到1.225V的閾值，于是IC關(guān)斷。VSENSE引腳上有大約30mV的滯后電壓，以保證IC開(kāi)啟時(shí)無(wú)震顫。
　　當(dāng)正負(fù)兩個(gè)電壓都超出各自的閾值時(shí)，IC₁接通，為兩只FET提供的受控制的轉(zhuǎn)換速率隨時(shí)間線性增長(zhǎng)。要注意的是，該電路只使用N溝道FET，因?yàn)槌叽绾唾M(fèi)用給定的情況下，N溝道FET的導(dǎo)通電阻比P溝道FET的要小。為了使Q1A導(dǎo)通，TPS2331有一個(gè)內(nèi)置式電荷泵，它能產(chǎn)生一個(gè)比正干線電壓大的電壓，從而對(duì)這一FET起增強(qiáng)作用。隨著柵極電壓的建立，Q3起到線性電平晶體管的作用，因而Q1B也能隨時(shí)間線性增長(zhǎng)，其導(dǎo)通速度是TPS2331 14μA輸出電流和C3值的函數(shù)。本設(shè)計(jì)使用這兩只FET的依據(jù)是直流通路中允許的電阻和FET的功耗值。事實(shí)上可以使用任何規(guī)格的FET，視你想要控制的電流大小而定。要注意的是，加到TPS2331上的總電壓范圍不能超過(guò)額定電壓15V。如果IC1不在兩個(gè)輸入電源電壓之間浮動(dòng)，則負(fù)輸入電壓可能比較大。圖2示出了這樣一種應(yīng)用電路，其輸入電壓為5V和-12V。該電路的主要要求是，電平移動(dòng)晶體管Q3要能耐受較高的電壓。此外，這一電路還能使用象IC1額定電壓15V那么高的正輸入電壓。