意法半導(dǎo)體(ST)日前推出一代手機(jī)專用NOR閃存子系統(tǒng)。新的多片子系統(tǒng)在一個(gè)封裝內(nèi)整合了ST新開發(fā)的256Mbit和512Mbit的單片NOR閃存芯片，以及PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)或LPSDRAM(小功率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。NOR閃存子系統(tǒng)專為第三代手機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)，采用90nm工藝，代碼執(zhí)行速度快，價(jià)格低廉。

　　新的閃存子系統(tǒng)采用多片封裝(MCP)技術(shù)，含有多種芯片組合，包括：512Mbit閃存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit閃存+128Mbit PSRAM(M36P0R9070);512Mbit閃存+128Mbit LPSDRAM(M39P0R9070)。此外，還有容量達(dá)1Gbit的三片疊裝和基于ST開發(fā)的256MbitNOR閃存的多片封裝產(chǎn)品。

　　ST稱，新的NOR閃存將存儲(chǔ)性能提升到了一個(gè)新的水平，讀取速率達(dá)到133MHz，比市場(chǎng)現(xiàn)有產(chǎn)品快2倍。此外，編程速率達(dá)0.5Mbps，比現(xiàn)有NOR閃存解決方案提高2倍。ST存儲(chǔ)器產(chǎn)品部副總裁Marco Dallabora說：“我們新的NOR閃存芯片能夠提高先進(jìn)手機(jī)平臺(tái)的代碼執(zhí)行速度，其0.5Mbps編程速率以及低功耗還支持手機(jī)上的高分辨率相機(jī)?！?nbsp;

　　針對(duì)第三代多媒體手機(jī)的高容量、小尺寸、低功耗和高靈活性等特點(diǎn)，STNOR閃存采用90nm光刻技術(shù)的同時(shí)，運(yùn)用了經(jīng)過驗(yàn)證的存儲(chǔ)技術(shù)，例如，多電平單元(MLC)閃存和多區(qū)塊體系結(jié)構(gòu)。

　　在封裝方面，NOR閃存新品采用了一個(gè)單片小封裝內(nèi)集成不同類型存儲(chǔ)器的整合方法，節(jié)省了電路板空間，提高了制造商產(chǎn)品可靠性。此外，ST認(rèn)為，在小容量封裝內(nèi)組裝超大容量的存儲(chǔ)器是即將到來的第三代應(yīng)用處理多媒體內(nèi)容和快速連接互聯(lián)網(wǎng)的基本要求。 

　　新產(chǎn)品系列所包含的存儲(chǔ)器組合現(xiàn)已上市銷售，采用BGA封裝。其中，NOR閃存+PSRAM，采用8mm×11mm(ZAC)LFBGA107封裝；NOR閃存+LPSDRAM，采用9mm×11mm(ZAD)xFBGA105封裝。批量采購(gòu)價(jià)如下：M36P0R9060單價(jià)12美元，M36P0R9070單價(jià)14美元，M39P0R9070單價(jià)13美元(以上價(jià)格僅供參考)。