Ramtron推出首款內(nèi)嵌FRAM的增強型8051 MCU
出處：parky 發(fā)布于：2007-12-07 11:09:50
世界的非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導體產(chǎn)品供應商Ramtron International 發(fā)布款嵌入了非易失性FRAM存儲器的8051MCU — VRS51L3074。Ramtron將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051系列產(chǎn)品中，以實現(xiàn)設計高速及高可靠性的非易失性數(shù)據(jù)存儲和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有嵌入了FRAM的增強型微控制器才能提供。
Ramtron 加拿大公司總經(jīng)理Irv Lustigman 解釋道：“VRS51L3074能在微控制器中展現(xiàn)FRAM的全部優(yōu)點，這項突破性的進步將會根本地扭轉(zhuǎn)微控制器的發(fā)展里程。VRS51L3074是未來完全以FRAM技術為存儲單元的MCU系列的個產(chǎn)品。這種完全以FRAM技術為基礎的MCU可以完全滿足目前FLASH和SRAM的功能要求，完全由FRAM來實現(xiàn)程序存儲，數(shù)據(jù)存儲和特殊寄存器存儲需求?！?
采用FRAM代替FLASH/EEPROM作為非易失性數(shù)據(jù)存儲
采用FRAM可省去FLASH技術中數(shù)據(jù)存儲所伴隨的額外代碼開銷。避免了FLASH/EEPROM壽命有限和寫入周期過長的缺點，從而縮短了設計周期。與FLASH閃存不同，F(xiàn)RAM中字節(jié)可以隨時修改而不必事先擦除整個扇區(qū)，使到數(shù)據(jù)存儲更加容易；此外，F(xiàn)RAM還可提供幾乎無限的讀寫次數(shù)及快速寫入速度。
VRS51L3074 將8KB FRAM存儲器和高性能系統(tǒng)級芯片結(jié)合，其是速度高達40MIPS單周期8051內(nèi)核、同時具有ISP和IAP編程功能的64KB Flash程序空間、4KB SRAM、JTAG編程/調(diào)試接口、數(shù)字信號處理 (DSP) 單元和功能強大的數(shù)字外設。3.3v的工作電壓和工業(yè)級的溫度范圍使得VRS51L3074是嵌入式數(shù)據(jù)采集解決方案理想的選擇，可廣泛的應用于從傳感檢測與計量到工業(yè)控制、儀器和醫(yī)療設備等領域。
VRS51L3074 特性
8K x 8 FRAM: 8KB 真正的非易失性隨機存儲器 (無須電池/特大電容便可保存數(shù)據(jù)) 映像到VRS51L3074的XRAM存儲尋址空間上，充分發(fā)揮其快速讀寫以及讀寫壽命無限的特點。
40MHz、單周期8051處理器：這是市場上快速的8位處理器之一，其先進的內(nèi)核可以提供高達40 MIPS的吞吐量，并且與標準8051s指令兼容。方便實現(xiàn)程序移植。
帶32位桶式移位器的MULT/ACCU/DIV 單元：此硬件計算單元在執(zhí)行DSP操作 (FIR濾波、傳感器輸出線性化、多重字節(jié)算法操作等) 時，其性能顯著優(yōu)于8位處理器。它在一個周期中 (40 MHz) 執(zhí)行16位有符號的乘法和32位加法，在5個周期中 (40 MHz) 執(zhí)行16位有符號的除法。桶式移位器實現(xiàn)了邏輯/算法轉(zhuǎn)換操作。
精密的40MHz內(nèi)部振蕩器：VRS51L3074內(nèi)部集成了高達2% 的內(nèi)部振蕩器，由于無需外部振蕩器，簡化系統(tǒng)設計。
JTAG接口：界面友好 簡單易用的JTAG調(diào)試編程接口。支持價格便宜的在線編程和在線調(diào)試仿真器。
VRS51L3074包含了一系列可以靈活配置的硬件數(shù)字外設，在提高了集成性的基礎上大大的減輕了處理器的運算負荷。
帶波特率發(fā)生器的雙UART：這個通用異步接收器/發(fā)送器的工作速度為1.25 Mbps，每個UART均帶有一個獨立的具有16位分辨率和4位波特率微調(diào)功能的波特率發(fā)生器。
增強的SPI：通用串行外設接口，通信速度可以達到20Mbps，發(fā)送數(shù)據(jù)長度可以從1位到32位可選。
PWC：兩個脈寬記數(shù)模塊，提供高性能定時器功能，可以方便的對脈沖寬度進行測量。
PWM: VRS51L3074包含8個脈寬調(diào)制器，具有高達16位的可調(diào)節(jié)分辨率。每個PWM都有自己獨立的定時器，并可以用作通用定時器使用。
其它外設包括1個 I2C接口、3個16位系統(tǒng)定時器帶有3個捕捉輸入口、1個看門狗定時器和49個中斷源。VRS51L3074以QFP-64封裝形式供貨。
價格與供貨
VRS51L3074目前提供樣品，批量供貨的價格低于5美元。
要了解有關VRS51L3074的更多信息，請訪問網(wǎng)頁：https://www.ramtron.com/vrs3xxx/。
Ramtron 加拿大公司總經(jīng)理Irv Lustigman 解釋道：“VRS51L3074能在微控制器中展現(xiàn)FRAM的全部優(yōu)點，這項突破性的進步將會根本地扭轉(zhuǎn)微控制器的發(fā)展里程。VRS51L3074是未來完全以FRAM技術為存儲單元的MCU系列的個產(chǎn)品。這種完全以FRAM技術為基礎的MCU可以完全滿足目前FLASH和SRAM的功能要求，完全由FRAM來實現(xiàn)程序存儲，數(shù)據(jù)存儲和特殊寄存器存儲需求?！?
采用FRAM代替FLASH/EEPROM作為非易失性數(shù)據(jù)存儲
采用FRAM可省去FLASH技術中數(shù)據(jù)存儲所伴隨的額外代碼開銷。避免了FLASH/EEPROM壽命有限和寫入周期過長的缺點，從而縮短了設計周期。與FLASH閃存不同，F(xiàn)RAM中字節(jié)可以隨時修改而不必事先擦除整個扇區(qū)，使到數(shù)據(jù)存儲更加容易；此外，F(xiàn)RAM還可提供幾乎無限的讀寫次數(shù)及快速寫入速度。
VRS51L3074 將8KB FRAM存儲器和高性能系統(tǒng)級芯片結(jié)合，其是速度高達40MIPS單周期8051內(nèi)核、同時具有ISP和IAP編程功能的64KB Flash程序空間、4KB SRAM、JTAG編程/調(diào)試接口、數(shù)字信號處理 (DSP) 單元和功能強大的數(shù)字外設。3.3v的工作電壓和工業(yè)級的溫度范圍使得VRS51L3074是嵌入式數(shù)據(jù)采集解決方案理想的選擇，可廣泛的應用于從傳感檢測與計量到工業(yè)控制、儀器和醫(yī)療設備等領域。
VRS51L3074 特性
8K x 8 FRAM: 8KB 真正的非易失性隨機存儲器 (無須電池/特大電容便可保存數(shù)據(jù)) 映像到VRS51L3074的XRAM存儲尋址空間上，充分發(fā)揮其快速讀寫以及讀寫壽命無限的特點。
40MHz、單周期8051處理器：這是市場上快速的8位處理器之一，其先進的內(nèi)核可以提供高達40 MIPS的吞吐量，并且與標準8051s指令兼容。方便實現(xiàn)程序移植。
帶32位桶式移位器的MULT/ACCU/DIV 單元：此硬件計算單元在執(zhí)行DSP操作 (FIR濾波、傳感器輸出線性化、多重字節(jié)算法操作等) 時，其性能顯著優(yōu)于8位處理器。它在一個周期中 (40 MHz) 執(zhí)行16位有符號的乘法和32位加法，在5個周期中 (40 MHz) 執(zhí)行16位有符號的除法。桶式移位器實現(xiàn)了邏輯/算法轉(zhuǎn)換操作。
精密的40MHz內(nèi)部振蕩器：VRS51L3074內(nèi)部集成了高達2% 的內(nèi)部振蕩器，由于無需外部振蕩器，簡化系統(tǒng)設計。
JTAG接口：界面友好 簡單易用的JTAG調(diào)試編程接口。支持價格便宜的在線編程和在線調(diào)試仿真器。
VRS51L3074包含了一系列可以靈活配置的硬件數(shù)字外設，在提高了集成性的基礎上大大的減輕了處理器的運算負荷。
帶波特率發(fā)生器的雙UART：這個通用異步接收器/發(fā)送器的工作速度為1.25 Mbps，每個UART均帶有一個獨立的具有16位分辨率和4位波特率微調(diào)功能的波特率發(fā)生器。
增強的SPI：通用串行外設接口，通信速度可以達到20Mbps，發(fā)送數(shù)據(jù)長度可以從1位到32位可選。
PWC：兩個脈寬記數(shù)模塊，提供高性能定時器功能，可以方便的對脈沖寬度進行測量。
PWM: VRS51L3074包含8個脈寬調(diào)制器，具有高達16位的可調(diào)節(jié)分辨率。每個PWM都有自己獨立的定時器，并可以用作通用定時器使用。
其它外設包括1個 I2C接口、3個16位系統(tǒng)定時器帶有3個捕捉輸入口、1個看門狗定時器和49個中斷源。VRS51L3074以QFP-64封裝形式供貨。
價格與供貨
VRS51L3074目前提供樣品，批量供貨的價格低于5美元。
要了解有關VRS51L3074的更多信息，請訪問網(wǎng)頁：https://www.ramtron.com/vrs3xxx/。
關鍵詞：Ramtron推出首款內(nèi)嵌FRAM的增強型8051 MCU8051SVRS51L3074QFP-64
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