韓國三星電子日前開發(fā)成功了pMOS導(dǎo)通電流高達(dá)2.31mA/μm的新型雙柵晶體管“MBC（multi-bridge-channel）FET”。開關(guān)特性也不錯，為75mV/dec。該公司2004年6月就n型MBCFET進(jìn)行了技術(shù)發(fā)表，此次則試制成功了p型產(chǎn)品。n型MBCFET采用了多晶硅柵極，而此次為了控制閾值，采用了TiN材料的金屬柵，在Bulk底板和SOI底板上對n和p兩種特性進(jìn)行測試。

　　MBC是一種在結(jié)構(gòu)上通過在硅底板內(nèi)部嵌入多個柵電極，將夾在柵電極之間的區(qū)域用作溝道的晶體管。每個溝道的平均厚度為20nm。即使將柵極長度縮短至30nm左右，也能利用晶體管結(jié)構(gòu)控制短溝道效應(yīng)，而不需在溝道部分?jǐn)v雜（HALO/pocket）。

　　除此之外，在此次專題會議上三星還發(fā)表了試制雙溝道Fin型FET的結(jié)果。主要面向80nm工藝SRAM。驅(qū)動性能達(dá)到了過去平坦型FET的5倍，s系數(shù)實(shí)現(xiàn)了接近理論極限的60mV/dec。源極/漏極部分的寄生電阻可保持在與平坦型晶體管相同的水平。