Dallas Semiconductor近日推出內(nèi)置實時時鐘(RTC)、采用單芯片表貼封裝的非易失性SRAM(NVSRAM)模塊——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉電情況下，這些模塊為保護重要數(shù)據(jù)提供了一種完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、256焊球BGA封裝，并與外部環(huán)境完全隔離密封。  

　　新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的電池。由于內(nèi)部集成有智能電路，可持續(xù)監(jiān)視VCC，檢查是否超出容限。一旦出現(xiàn)這種情況，自動接通鋰電池，并無條件使能寫保護功能，以防止破壞數(shù)據(jù)。 

　　該系列存儲器模塊對執(zhí)行寫操作的次數(shù)沒有限制，而且與處理器接口無需額外的支持電路，可替代SRAM、EEPROM或Flash存儲器。3.3V模塊的容量從32k×8位至1M×8位，并具有相同的封裝尺寸和引腳排布，從而無需改變封裝尺寸可增加產(chǎn)品容量。  

　　此外，這些新型模塊內(nèi)置的RTC具有完整的Y2KC時鐘/日歷功能，包含有RTC報警、看門狗定時器、電池監(jiān)視器以及電源監(jiān)視器。RTC寄存器包含世紀、年、月、日、星期、時、分、秒數(shù)據(jù)，采用24小時BCD格式。每月天數(shù)以及閏年的修正可自動完成。 

　　該系列產(chǎn)品采用單芯片架構(gòu)，所以可采用標準裝配工藝來處理。采用現(xiàn)有的拾取-貼放設備即可從料盤上拾取器件并進行貼放。該系列模塊與標準SMT工藝相兼容，可承受+225℃/+0℃/-5℃的峰值回流焊溫度長達30秒?；亓骱竿瓿珊螅捎盟芤簩@些模塊進行清洗，無需特殊的防護。