國際整流器公司(International Rectifier，簡稱為IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET－IRF6648。該器件的導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，據(jù)稱導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。 

　　單個(gè)采用SO-8封裝的IRF6648，其性能與兩個(gè)并聯(lián)的同類增強(qiáng)型SO-8器件相似。IRF6648適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。該器件的封裝技術(shù)具有的良好散熱設(shè)計(jì)和雙面冷卻能力。如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉(zhuǎn)換器的次級，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。 

　　IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“我們擴(kuò)展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列，這使得電源設(shè)計(jì)人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級插槽的性能。IRF6648是一種多功能器件，可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器、24V輸入初級正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統(tǒng)?！?nbsp;

　　IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得，它集中了標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不具備的一系列設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。其中的金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，使降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。另外，DirectFET封裝的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令(RoHS)的要求。 

　　IRF6648 DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨。以1萬件訂貨量計(jì)算，單價(jià)為1.29美元，價(jià)格可能會(huì)有變動(dòng)。IR還提供部分設(shè)計(jì)工具和應(yīng)用指南。