意法半導體公司(ST)推出采用90nm工藝技術(shù)的128Mb NAND閃存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技術(shù)降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應用于如數(shù)碼相機、錄音機、PDA、機頂盒(STB)、打印機和各種閃存卡等消費類電子產(chǎn)品。據(jù)介紹，NAND128是目前市場上采用90nm工藝技術(shù)的128Mb閃存。 


    NAND128具有超快的數(shù)據(jù)吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號在8位總線上復接，降低了引腳數(shù)量，允許使用標準組件的NAND接口，使制造商能生產(chǎn)更高(或更低)容量的產(chǎn)品，而不用改變占位面積。 

    該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產(chǎn)品開發(fā)速度，并延長存儲器芯片的使用時間。工具包括誤差修正碼(ECC)軟件；用來識別和替代區(qū)塊的壞區(qū)塊管理(BBM)(在擦除或編程操作時，通過將數(shù)據(jù)復制到正確區(qū)塊實現(xiàn))；通過在所有區(qū)塊分配“擦除和程序”(Erase and Program)操作的Wear Leveling算法，以優(yōu)化器件的使用年限；文件系統(tǒng)OS參考軟件，以及硬件仿真模型。 

    此存儲器有1024個名義上16KB區(qū)塊，每個能分成512B的頁，每頁有16個空余字節(jié)(B)，它能按頁來讀取和編程?？沼嘧止?jié)可用作誤差修正碼(ECC)、軟件標識或壞區(qū)塊識別?！皬椭坪蟪绦颉?Copy Back Program)模式使得存儲在一頁的數(shù)據(jù)能直接編程到另外一頁，而不需要外部緩沖，這種特性典型用來轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。如果頁編程由于有缺陷區(qū)塊而操作失敗時，還提供區(qū)塊指令，區(qū)塊擦除時間2ms。每個區(qū)塊有10萬次編程和擦除，以及10年數(shù)據(jù)保存期。 

    該器件具備“Chip Enable Don’t Care”特性，簡化了微控制器接口，并且使NAND閃存與其它類型存儲器(如NOR閃存和SRAM)混合使用時更有效率。該器件出廠時標記識別碼，用戶可編程序號增加了目標應用的安全性。 

    NAND128W3A2BN6E的工作溫度范圍為-40℃至85℃，它采用無鉛TSOP48封裝，現(xiàn)可批量供貨，單片價格范圍為4至4.5美元(僅供參考)。