ST率先采用90nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的128Mb NAND閃存
出處:liudewei 發(fā)布于:2007-12-04 14:42:10
意法半導體公司(ST)推出采用90nm工藝技術(shù)的128Mb NAND閃存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技術(shù)降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應用于如數(shù)碼相機、錄音機、PDA、機頂盒(STB)、打印機和各種閃存卡等消費類電子產(chǎn)品。據(jù)介紹,NAND128是目前市場上采用90nm工藝技術(shù)的128Mb閃存。
NAND128具有超快的數(shù)據(jù)吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號在8位總線上復接,降低了引腳數(shù)量,允許使用標準組件的NAND接口,使制造商能生產(chǎn)更高(或更低)容量的產(chǎn)品,而不用改變占位面積。
該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產(chǎn)品開發(fā)速度,并延長存儲器芯片的使用時間。工具包括誤差修正碼(ECC)軟件;用來識別和替代區(qū)塊的壞區(qū)塊管理(BBM)(在擦除或編程操作時,通過將數(shù)據(jù)復制到正確區(qū)塊實現(xiàn));通過在所有區(qū)塊分配“擦除和程序”(Erase and Program)操作的Wear Leveling算法,以優(yōu)化器件的使用年限;文件系統(tǒng)OS參考軟件,以及硬件仿真模型。
此存儲器有1024個名義上16KB區(qū)塊,每個能分成512B的頁,每頁有16個空余字節(jié)(B),它能按頁來讀取和編程??沼嘧止?jié)可用作誤差修正碼(ECC)、軟件標識或壞區(qū)塊識別?!皬椭坪蟪绦颉?Copy Back Program)模式使得存儲在一頁的數(shù)據(jù)能直接編程到另外一頁,而不需要外部緩沖,這種特性典型用來轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。如果頁編程由于有缺陷區(qū)塊而操作失敗時,還提供區(qū)塊指令,區(qū)塊擦除時間2ms。每個區(qū)塊有10萬次編程和擦除,以及10年數(shù)據(jù)保存期。
該器件具備“Chip Enable Don’t Care”特性,簡化了微控制器接口,并且使NAND閃存與其它類型存儲器(如NOR閃存和SRAM)混合使用時更有效率。該器件出廠時標記識別碼,用戶可編程序號增加了目標應用的安全性。
NAND128W3A2BN6E的工作溫度范圍為-40℃至85℃,它采用無鉛TSOP48封裝,現(xiàn)可批量供貨,單片價格范圍為4至4.5美元(僅供參考)。
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