美信(Maxim Integrated Products)的全資子公司Dallas Semiconductor，推出業(yè)界款大容量、單片式、表貼非易失(NV) SRAM模塊：DS2070W+100(2M×8位)以及DS3070W+100(2M×8位，集成RTC)，內(nèi)置可經(jīng)受回流焊的電池。 
　　與目前市面上其他NV SRAM模塊不同，DS2070W/DS3070W NV SRAM模塊極其簡單。該系列器件采用單片式方案，內(nèi)置可經(jīng)受回流焊的電池。可以采用標準裝配流程很簡單的實現(xiàn)該系列器件的安裝：可以通過現(xiàn)有的拾取/貼放機從裝有器件的卷帶上拾取并貼放器件。該系列器件還兼容于標準的SMT工藝，可以承受長30秒鐘的+225℃(+0/-5℃)的峰值回流焊溫度。完成回流焊后，該模塊可以采用水清洗流程，無需任何附加措施。 
　　當與競爭對手的傳統(tǒng)兩片式表貼方案相比，DS2070/DS3070的可回流焊電池就更顯其重要性。兩片式表貼方案需要額外增加裝配工序及成本：安裝電池時需要尤其小心，因為當前業(yè)界所使用的性電池不能采用回流焊。因此，通常都是先采用回流焊工藝將基底(不帶電池)焊到的電路板上，然后在裝配工序階段才將電池手工安裝到基底上。DS2070W/DS3070W免去了這些裝配工序，縮短了生產(chǎn)周期并降低了成本。 
    DS2070W/DS3070W是一個高度集成的模塊，方便使用，器件利用智能電路持續(xù)監(jiān)控VCC，防止意外掉電引起重要數(shù)據(jù)的丟失。VCC接到模塊上時，外部電源對內(nèi)部的鋰錳電池充電，同時為SRAM供電，允許用戶修改SRAM的內(nèi)容。當電源電壓超出容，器件自動接通電池，并且無條件啟動寫保護，以防止數(shù)據(jù)丟失。器件可以無限次執(zhí)行寫操作，與微處理器接口時無需任何附加電路。 
    DS2070W/DS3070W單片式NV SRAM模塊是全靜態(tài)存儲器，結(jié)構(gòu)和功能上與當前公司現(xiàn)有的單片式NV SRAM模塊相類似。該系列模塊可以替代SRAM、EEPROM、或閃存，這些器件的容量介于32k×8位至2M×8位之間。不同容量的器件均具有相同的封裝形式和引腳排布，方便用戶在不改變主體設計的情況下擴展存儲器容量。 
    DS2070W/DS3070W采用RoHS兼容、27mm×27mm、256焊球BGA封裝，與外界環(huán)境實現(xiàn)完全隔離。該系列器件規(guī)定工作在-40℃至+85℃工業(yè)級溫度范圍。DS2070W+100的起價為$38.41，而DS3070W+100的起價為$42.25(1000片起，美國離岸價)。