安森美半導(dǎo)體為當(dāng)今的計算、數(shù)據(jù)存儲、連網(wǎng)和消費應(yīng)用的同步存儲器模塊推出兩款新的時鐘分配器件，擴(kuò)展了高性能 ECLinPSTM 時鐘管理產(chǎn)品系列。新的 NB4N121K 和  NB4N111K 為全面緩沖雙列直插內(nèi)存模塊 (FBDIMM) 應(yīng)用提供差分主時鐘信令等級 (HCSL) 輸出和極低傳輸延遲變異。

　　安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品先進(jìn)邏輯部總監(jiān)何燾 (Dan Huettl) 說：“隨著系統(tǒng)速度和容量要求持續(xù)提高，業(yè)內(nèi)的存儲子系統(tǒng)設(shè)計正從并行轉(zhuǎn)向串行地址和數(shù)據(jù)架構(gòu)。我們的 EClinPSTM 系列在低抖動差分信令領(lǐng)域一直，因此安森美半導(dǎo)體開發(fā)出業(yè)內(nèi)具有抖動、歪曲率和寬扇出的 HCSL FBDIMM 時鐘分配產(chǎn)品。為了提供整個時鐘樹的時序解決方案，我們將繼續(xù)擴(kuò)充 ECLinPS? 時鐘分配和 PureEdge? 時鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列。這樣安森美半導(dǎo)體將不斷享譽(yù)，持續(xù)成為業(yè)界的表表者。”

　　器件

　　新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏 (V) 時鐘分配器件，帶有差分HCSL 輸出，針對100、133、166、200、266、333 和40

0 MHz等典型FBDIMM頻率應(yīng)用。這兩款器件采用先進(jìn)的0.25 微米 (μm) CMOS 工藝技術(shù)制造，性能遠(yuǎn)超競爭產(chǎn)品——產(chǎn)生僅 0.3 皮秒 (ps) 的相加相位抖動和不足100 ps的輸出至輸出歪曲率。(每個差分對的傳輸延遲變異Δtpd為100 ps。)競爭性器件的典型抖動超過 1 ps時，歪曲率遠(yuǎn)高于 100 ps。因此，安森美半導(dǎo)體的 ECLinPS? 器件為系統(tǒng)設(shè)計人員省下更多的珍貴時序預(yù)算。

　　安森美半導(dǎo)體新的時鐘分配器件進(jìn)行了優(yōu)化的設(shè)計、布線和處理，將器件內(nèi)歪曲率和器件之間歪曲率降到。系統(tǒng)設(shè)計人員能夠利用這種出色性能為其存儲器控制器和FBDIMM模塊分配低歪曲率、低抖動的時鐘。兩款器件的時鐘輸入引腳還內(nèi)部整合了 50 歐姆 (Ω) 的片內(nèi)端接 (ODT) ，減少元件數(shù)量和簡化電路板布線。

　　NB4N121K 是 1 : 21 或 1 : 42 的HCSL時鐘分配器件。在 1 : 21 下，該器件提供業(yè)內(nèi)寬的扇出，能配置成 2X 模式，提供 1 : 42 HCSL 扇出。該器件接受差分低壓正射極耦合邏輯 (LVPECL) 、電路模式邏輯 (CML) 或低壓差分信令 (LVDS) 等級，也能在配以適當(dāng)?shù)慕涣鲄⒖?a target="_blank">電源 (VREFAC) 下，接受單端 LVPECL、CML、低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 或 LVTTL 等級。在1X負(fù)載模式下，IREF (引腳1) 的輸出驅(qū)動電流通過接地來選擇。如果配置成2X負(fù)載模式，則能夠輕易地通過連接IREF 到VCC 來完成。

　　NB4N121K 是 1 : 10 HCSL 時鐘分配器件，接受差分 LVPECL、CML 或 LVDS 輸入等級，并能在配以適當(dāng)?shù)慕涣鲄⒖茧娫聪拢邮軉味?LVPECL、CML、LVCMOS 或 LVTTL 等級。

　　封裝和價格

　　NB4N121K 采用符合 RoHS 指令、52 引腳、裸露焊盤 QFN 封裝，每 1,000 片的批量單價為 4 美元。

　　NB4N111K 采用符合 RoHS 的32 引腳、裸露焊盤 QFN 封裝，每 1,000 片的批量單價為 3.75 美元。