奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數(shù)字電位器AS1506，可提供10、50和100kΩ電阻，進(jìn)一步擴(kuò)展了數(shù)字電位器產(chǎn)品系列。

　　AS1506的待機(jī)電流為500nA，包括CMOS寫操作電流在內(nèi)的工作電流只有200µA，因此是低功耗應(yīng)用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作，端到端電阻的溫度系數(shù)為90ppm/°C。AS1506具有±0.5LSB（值）的積分非線性（INL）和±0.5LSB（值）的微分非線性（DNL）。

　　AS1506數(shù)字電位器將滑動(dòng)端信息存儲(chǔ)在具有高耐用性、高性能和超長保持時(shí)間（Hi-EPR）的集成EEPROM內(nèi)，可提供的超多寫入次數(shù)和超長數(shù)據(jù)保持時(shí)間。25°C條件下，奧地利微電子公司的Hi-EPR EEPROM允許進(jìn)行1000萬次寫入操作，在85°C條件下仍可進(jìn)行驚人的100萬次寫入操作，是傳統(tǒng)高等級EEPROM的50倍。此外，AS1506在85°C時(shí)可實(shí)現(xiàn)難以置信的150年數(shù)據(jù)保持時(shí)間，比標(biāo)準(zhǔn)的高等級EEPROM的信息存儲(chǔ)時(shí)間長15倍。

　　奧地利微電子公司的標(biāo)準(zhǔn)線性事業(yè)部市場總監(jiān)Walter Moshammer表示：“與模擬電位器及同類的非易失性數(shù)字電位器相比，AS1506具有多項(xiàng)優(yōu)勢。除了具備抗震動(dòng)和沖擊、分辨率更高、小尺寸以及更高性能等數(shù)字電位器的顯見優(yōu)勢外，AS1506還提供了一種出色的EEPROM，即使在惡劣的環(huán)境中，存儲(chǔ)信息也可以保持?jǐn)?shù)十年之久，而且能經(jīng)受數(shù)百萬次的寫入操作。”

　　AS1506采用8引腳、小尺寸、TDFN（3x3mm）封裝。