飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出業(yè)界封裝的P溝道MOSFET器件FDZ191P，可為各種低壓(<20V)便攜式電子產(chǎn)品提供功率轉(zhuǎn)換、充電和負(fù)載管理所需的熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應(yīng)用對象包括：移動電話、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、醫(yī)療設(shè)備，以及其它智能化，小型化的便攜式產(chǎn)品。 

　　飛兆半導(dǎo)體的FDZ191P器件的性能優(yōu)于市場上大部分專為低壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)的功率MOSFET。FDZ191P作為PowerTrench MOSFET，采用了飛兆半導(dǎo)體的晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP)，因而具有出色的熱阻(83℃/W)和低RDS(ON)(4.5V時(shí)為67mΩ)。FDZ191P具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封裝，與同類器件相比能節(jié)省至少30%的線路板空間，而且的封裝高度僅為0.65mm，使其非常適用于高密度產(chǎn)品和超薄型消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。FDZ191P還能夠工作于1.5V的低電壓，這在功率管理設(shè)計(jì)中是一個重要的特性。此外，F(xiàn)DZ191P還滿足電子產(chǎn)品應(yīng)用要求的所有"綠色"和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 

　　飛兆半導(dǎo)體低壓功率產(chǎn)品部市務(wù)總監(jiān)Chris Winkler稱：“飛兆半導(dǎo)體的FDZ191P正在為超小型及高性能MOSFET市場設(shè)立新的標(biāo)準(zhǔn)，并同時(shí)印證了飛兆半導(dǎo)體的技術(shù)，結(jié)合高密度的MOSFET硅片來開發(fā)的封裝技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體采用1.0mm×1.5mm WL-CSP封裝的產(chǎn)品系列正不斷擴(kuò)展，為設(shè)計(jì)人員提供了理想的解決方案，能夠應(yīng)付低壓設(shè)計(jì)對于空間和功率管理電路方面的挑戰(zhàn)?！?nbsp;

　　FDZ191P的主要優(yōu)點(diǎn)包括： 

　　·超小的封裝和高度——僅占用1.5mm2的印刷線路板面積，當(dāng)安裝在印刷線路板上時(shí)，F(xiàn)DZ191P的高度不超過0.65mm，因此適用于各種高密度應(yīng)用； 

　　·出色的熱性能和電氣性能——FDZ191P提供優(yōu)良的散熱特性(安裝在1"x1"銅焊盤上時(shí)，Rthja=83℃/W)。它還可滿足便攜式產(chǎn)品的功率管理設(shè)計(jì)要求(Vgs=4.5V時(shí)典型的RDS(ON)為67mΩ，Vgs=2.5V時(shí)RDS(ON)為85mΩ)； 

　　·高功率和大電流處理能力——安裝在1"x1"銅焊盤上時(shí)，F(xiàn)DZ191P有助于實(shí)現(xiàn)1.5W的功率耗散(Pd)和3A的連續(xù)漏極電流(ID)； 

　　·滿足RoHS/綠色標(biāo)準(zhǔn)要求——FDZ191P能達(dá)致國際性的RoHS標(biāo)準(zhǔn)和綠色標(biāo)準(zhǔn)。 

　　這些無鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。 

　　FDZ191P器件已有現(xiàn)貨供應(yīng)，交貨期限為收到訂單后12周內(nèi)。