ARM公司發(fā)布了其Artisan 物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是個通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的90納米、可即量產(chǎn)的IP。

　　ARM 90納米Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案包括多組可編程ODT（ on-die termination）和輸出驅(qū)動阻抗控制（output driver impedance control），所有的端頭在使用ARM先進(jìn)的動態(tài)校準(zhǔn)器電路的情況下能夠獲得很高的阻抗。這些特性提高了整體信號的完整性，并且加快高速系統(tǒng)設(shè)計的開發(fā)周期。90納米Velocity DDR1/2存儲器接口提供適宜的解決方案，為需要用到SDRAM的眾多應(yīng)用（例如主流臺式電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)施和服務(wù)器）提供可調(diào)整的功耗和性能。這些可用于DDR1和DDR2的雙倍數(shù)據(jù)速度解決方案可以達(dá)800Mbps的數(shù)據(jù)速度運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)了SDRAM組建和存儲器控制器之間的所有接口。

　　Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案通過TSMC IP質(zhì)量體現(xiàn)了ARM物理IP的高質(zhì)量，同時為我們共同的客戶提供了一個可信任的SoC解決方案。

供貨情況

　　基于TSMC 90納米工藝的ARM Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案現(xiàn)已供貨。