ARM公司（倫敦證交所：ARM；納斯達克：ARMHY）今天發(fā)布了其Artisan 物理IP系列中的ARM VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是個通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的90納米、可即量產(chǎn)的IP。 

　　TSMC設計服務市場代理總監(jiān)Kuo Wu表示：“我們一貫致力于同我們的IP合作伙伴共同努力，將高質(zhì)量的IP以短的時間整合到我們客戶的的設計中。在我們對IP的嚴格要求下，ARM Velocity DDR1/2存儲器接口在我們的90納米工藝取得了卓越的首次投片成功?！?nbsp;

　　ARM 90納米Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案包括多組可編程ODT（ on-die termination）和輸出驅(qū)動阻抗控制（output driver impedance control），所有的端頭在使用ARM先進的動態(tài)校準器電路的情況下能夠獲得很高的阻抗。這些特性提高了整體信號的完整性，并且加快高速系統(tǒng)設計的開發(fā)周期。90納米Velocity DDR1/2存儲器接口提供適宜的解決方案，為需要用到SDRAM的眾多應用（例如主流臺式電腦、網(wǎng)絡設施和服務器）提供可調(diào)整的功耗和性能。這些可用于DDR1和DDR2的雙倍數(shù)據(jù)速度解決方案可以達800Mbps的數(shù)據(jù)速度運行，并實現(xiàn)了SDRAM組建和存儲器控制器之間的所有接口。 

　　ARM物理IP部門總經(jīng)理Brent Dichter表示：“ARM一貫承諾為客戶提供高質(zhì)量的、已獲驗證的IP產(chǎn)品，確保他們的SoC設計獲得成功。Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案通過TSMC IP質(zhì)量體現(xiàn)了ARM物理IP的高質(zhì)量，同時為我們共同的客戶提供了一個可信任的SoC解決方案?！?nbsp;

　　供貨情況 

　　基于TSMC 90納米工藝的ARM Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案現(xiàn)已供貨。已授權(quán)設計師可在www.arm.com用于TSMC 90納米工藝的DDR1/2前端解決方案。DDR后端解決方案可從當?shù)谹RM銷售渠道獲得。