IBM、Macronix和Qimonda公司將在國際電子器件會議(IEDM)上宣布共同開發(fā)出一種相變內存原型，該原型的轉換速度號稱比傳統(tǒng)閃存技術快500多倍。 

　　該設備的橫截面大小僅有3 x 20納米，寫數據時的功耗比傳統(tǒng)技術的功耗降低了一半多。22納米甚至更高節(jié)點的器件將可以通過這一技術而實現。構成該技術之的是一小塊半導體合金，能在一個有序的晶體相位中快速變換。 

　　這種新的存儲器材料是一種鍺－銻（GeSb）合金，其中添加了微量元素來改進性能。屆時在IEDM大會上將會有一篇名為《利用GeSb材料的超薄相變橋內存器件》的論文提供更多詳情。