例如，電池供電的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)電路(非易失性存儲器模塊)至少需要兩個電源：SRAM存儲器(VIN1)用高電流活動通道，以及一個供主電源缺失時保存存儲器內(nèi)容的低電流備用電源(VIN2)。

　　通常的二極管或連接會給兩個通道都帶來問題(見圖2)。在VIN1通道，二極管電壓降會造成供電電源超出容限：3.3V 10%，即2.97 V，所以典型二極管壓降(0.6V)使VIN1超出10%限值。對低壓電源供電的存儲器IC容限問題更嚴重。

　　在備用端(VIN2)，希望電壓降，以限度延長備用電源(不管是電池、超級電容還是其他電壓源)的使用壽命，雖然0.6V的壓降約為鋰離子電池全充電(4.1V) 輸出的15%。

　　肖特基二極管將正向壓降降低了0.3~0.5V，在一定程度上使情況有改善，但用FET代替二極管將壓降降低到0.1V。要制作一低正向壓降"FET或"電源，需要在圖1所示的每個功率通道各加一FET，這些FET受電源序列發(fā)生器(U1)控制。

　　可以在VIN1通道使用一FDC633N晶體管(飛兆公司產(chǎn)品)，在VIN2通道使用一FDN304P，將VIN1和VIN2上的損失降低到50mV以下。Q1的選擇要考慮其電流處理能力和低導通電阻。Q2的選擇考慮其低柵極-源極電壓(低至1.8V，等效兩個枯竭的各0.9V AA電池)和低導通電阻。

　　兩個FET均反向安裝以使其本身二極管反偏壓，這可避免從一個電源切換到另一電源時的過電流，使轉換平緩。

　　U1用作墻上適配器的電源感測器和去抖動電路，使用一可編程延遲(對典型固定的200ms延遲使用MAX6819)監(jiān)控VIN1，確保墻上電源穩(wěn)定或高于U1斷開電壓后電池電源才關閉。

　　如果沒有D1，注意VIN2可能在U1超時延遲期間被VIN1(小于Q1本身二極管壓降)反向驅動。為避免此問題，在初級電源(VIN1)加電時D1使Q2關斷。

　　U1的內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生柵極輸出，完全提高Q1并加偏壓使Q2截止，該柵極輸出約為VCC2 + 5.5V。加入R3以快速驅動柵極信號至地電平，當VIN1移除時加速Q(mào)2導通。R3應盡可能大，這是因為加載柵極輸出會阻止負載電流的增加，降低柵極驅動能力。(為正確操作，本電路假設VIN2幅度小于VIN1幅度)。