恩智浦半導體(NXP)發(fā)布了一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品(如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機)的發(fā)熱量。BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。  

　　第三代BISS晶體管的集電極電流為5.8安培，它使用網(wǎng)狀發(fā)射極技術(shù)降低RCEsat，從而能夠提供更高的電流容量以及超低的VCEsat。BISS晶體管可用于提高中等功率DC/DC轉(zhuǎn)換、負荷開關(guān)、高邊開關(guān)(high side switch)、電機驅(qū)動器、背光變極器應(yīng)用和頻閃器閃光單元以及電池充電器等多種應(yīng)用的效率。恩智浦目前大批量生產(chǎn)供應(yīng)的BISS晶體管有120多種。  

    供貨情況  

　　目前提供三種塑封低VCEsat BISS晶體管：SOT457(六腳)、SOT89(三線、配有確保良好傳熱性的集電極片)和SOT223(四線、配有更多散熱片)。