業(yè)界款能夠為GSM和EDGE網絡基站提供100W射頻輸出功率的雙級射頻集成電路(RFIC)日前首次在3GSM世界大會的飛思卡爾半導體展臺展出。
　　該設備是目前投入商用的功率的雙級RFIC設備。當由飛思卡爾經濟高效的MMG3005N通用放大器驅動(GPA)時，MWE6IC9100N和MW7IC18100N RFIC就構成了全面的100W功率放大器解決方案，用于運行在頻率從900到1800 MHz的無線基站。
　　該解決方案的優(yōu)勢在于非常適合GSM和EDGE市場。此前，雙級RFIC設備的輸出功率不到30W，只能在驅動和預驅動階段使用。以前的設計需要一個單獨的高功率晶體管來實現(xiàn)50dB增益，GSM EDGE發(fā)射機一般都需要100W的輸出功率?，F(xiàn)在，只需要一個GPA和一個RFIC就可滿足這種需要。
　　“這些100W的RFIC是無線市場中射頻功率技術的突破，”飛思卡爾半導體副總裁兼射頻部總經理Gavin P.Wood表示，“它是迄今為止投入商用的功率的雙級RFIC，它們的封裝采用超模壓塑料而不是氣腔。這些進步中的每項都非常了不起，如果把它們加在一起，則代表著整個行業(yè)前進了一大步?！?BR>技術規(guī)范：MWE6IC9100N
　　MWE6IC9100N設計用于869至894MHz的蜂窩頻率和920至960MHz的GSM波段。對GSM操作來說，本設備可以在28V AB級偏壓條件下的1-dB增益壓縮（P1dB）上提供至少100W的CW輸出功率。增益是33.5dB，功率增加的效率超過了計劃運行范圍的52%。在EDGE應用的28V漏偏壓和50W的平均輸出電壓中，MWE6IC9100N分別通過400kHz和600kHz上的-63dBc和-81dBc的頻譜再生來滿足嚴格的線性要求，其中有2%rms的EVM。
技術規(guī)范：MW7IC18100N
　　MW7IC18100N涵蓋1805至1880MHz和1930至1990MHz兩個波段，能夠通過30dB的增益，提供100W CW的P1dB射頻輸出功率。當運行在28V電壓上的GSM環(huán)境中時，功率增加的效率超過了計劃運行范圍的48%。EDGE的性能包括40W的平均功率、-63dBc（400kHz偏移量）和-80dBc（800kHz偏移量）的頻譜再生，具有1.5%rms的EVM。
　　RFIC采用經濟高效的超模壓塑料封裝，具有內部匹配性和出色的穩(wěn)定性。RFIC具有集成的ESD保護，符合RoHs要求，可處理200°C的聯(lián)結溫度。它們還包括集成的靜態(tài)電流熱追綜設備，可提供高效的溫度補償。在所有放大器的115°C的操作溫度范圍內，在5%的浮動范圍內保持電流恒定。
　　RFIC結合了自動偏置功能，有助于簡化功率放大器系統(tǒng)的設計，使設計人員能夠用的外部電路設置放大器偏壓。此外，設備還可用少的控制電路，通過自動補償來設置理想的漏靜態(tài)電流。
供貨情況
　　MWE6IC9100N現(xiàn)已批量生產，產品已上市。