ST芯片向先進的45nm CMOS射頻技術升級
出處:hsb.siq 發(fā)布于:2007-12-12 10:42:33
這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的,原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有的性能和的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器和濾波器都工作在1.1V下,整個電路僅占用0.45mm2)。
ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CMOS RF衍生技術的研發(fā)戰(zhàn)略,進一步加強了公司采用45nm和32nm技術節(jié)點制造單片移動解決方案的能力。這項成績還歸功于ST的先進的 45nm CMOS RF衍生技術與的RF設計、仿真和特征分析的雙重能力。衍生技術是企業(yè)在標準CMOS技術平臺基礎上自主開發(fā)的能夠為特定應用領域帶來附加值的改進技術。ST的模擬/射頻衍生技術允許電阻、電容和電感等無源器件與高性能、高密度的數字邏輯功能單元集成到一起。
“批原型芯片的測試結果充分證明,我們的45nm 射頻衍生技術能
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