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ST芯片向先進的45nm CMOS射頻技術升級

出處:hsb.siq 發(fā)布于:2007-12-12 10:42:33

  意法半導體宣布該公司成功地制造出了批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(WLAN)應用產品至關重要。

  這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的,原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有的性能和的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器濾波器都工作在1.1V下,整個電路僅占用0.45mm2)。

  ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CMOS RF衍生技術的研發(fā)戰(zhàn)略,進一步加強了公司采用45nm和32nm技術節(jié)點制造單片移動解決方案的能力。這項成績還歸功于ST的先進的 45nm CMOS RF衍生技術與的RF設計、仿真和特征分析的雙重能力。衍生技術是企業(yè)在標準CMOS技術平臺基礎上自主開發(fā)的能夠為特定應用領域帶來附加值的改進技術。ST的模擬/射頻衍生技術允許電阻、電容和電感等無源器件與高性能、高密度的數字邏輯功能單元集成到一起。

  “批原型芯片的測試結果充分證明,我們的45nm 射頻衍生技術能

夠讓下一代無線局域網連接解決方案實現產業(yè)化和商業(yè)化,”意法半導體分管先進研發(fā)活動中的高性能邏輯及衍生技術的前工序技術及制造部副總裁Mike Thompson表示,“這項45nm 射頻制造工藝表明,通過整合企業(yè)專有的制造工序,使成品芯片能夠具有多種應用功能,如集成化的射頻/模擬功能或各類嵌入式存儲器功能,ST能夠給CMOS平臺帶來附加值。”



  
關鍵詞:ST芯片向先進的45nm CMOS射頻技術升級

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