安森美半導(dǎo)體宣布，將其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)擴(kuò)大到HighQ™硅-銅集成無(wú)源器件(IPD)的制造服務(wù)領(lǐng)域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無(wú)源器件相比，這創(chuàng)新的8英寸晶圓技術(shù)比原來(lái)較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。
　　安森美半導(dǎo)體的HighQ™ IPD工藝技術(shù)是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無(wú)源器件制造的理想選擇。對(duì)于便攜和無(wú)線應(yīng)用，高性能等于延長(zhǎng)電池壽命。
　　安森美半導(dǎo)體制造服務(wù)總經(jīng)理Rich Carruth說(shuō)：“目前，為了向市場(chǎng)推出具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的電子消費(fèi)品，設(shè)計(jì)人員在為板選擇無(wú)源器件時(shí)只好犧牲性能。以砷化鎵-金工藝制造的無(wú)源器件提供較好的性能，但是過(guò)高的總體制造成本限制了其用于手機(jī)和其他無(wú)線產(chǎn)品。而典型的硅-銅工藝制造的無(wú)源器件比砷化鎵無(wú)源器件制造成本低，只是性能稍遜。采用安森美半導(dǎo)體HighQ™工藝制造的無(wú)源器件，為設(shè)計(jì)人員提供具價(jià)值的第三個(gè)選擇——比普通硅-銅器件的Q值高，比砷化鎵無(wú)源器件更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)?！?
工藝
　　位于美國(guó)的安森美半導(dǎo)體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具世界一流水平的原型和生產(chǎn)周期，高科技產(chǎn)品生產(chǎn)和故障分析設(shè)備和系統(tǒng)。
　　HighQ™制造工藝制造出銅鍍層厚實(shí)的電感器、MIM 電容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 電阻器(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，顯示了該方案的穩(wěn)健。

　　•    加工溫度-65°C/150°C
　　•    金屬、Vias 和 MIM電容器上固有的穩(wěn)定性
　　•    高溫反位相（Op）壽命(150°C, 504 小時(shí))
　　•    額定ESD：HBM, MM