額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導(dǎo)通電壓與移動電子設(shè)備中使用的數(shù)字IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實(shí)現(xiàn)更安全、更可靠的設(shè)計。作為首批可直接從1.2V總線驅(qū)動的功率MOSFET，這些新型TrenchFET還提供了額外潛在優(yōu)勢，通過它們，在內(nèi)核電壓低于1.8V的電池供電系統(tǒng)中無需額外的轉(zhuǎn)換。

      在額定電壓為1.5V的MOSFET中，在更低的未指定柵源電壓(例如1.2V)時導(dǎo)通電阻一般會按指數(shù)級增加。通過比較，這些新型1.2V TrenchFET在1.2V柵極驅(qū)動時提供了確保的低至0.041Ω的n通道導(dǎo)通電阻以及低至0.095Ω的p通道導(dǎo)通電阻。1.5V柵極驅(qū)動的導(dǎo)通電阻性能高于柵源電壓規(guī)格為1.5V的器件中的導(dǎo)通電阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。

      日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道SiA414DJ(PowerPAK SC-70)、Si8424DB(MICRO FOOT)及SiB414DK(PowerPAK SC75)，以及p通道SiA417DJ(PowerPAK SC-70)、Si8429DB(MICRO FOOT)及SiB417DK(PowerPAK SC-75)。先前推出的采用SC-70封裝的p通道Si1499DH完善了Vishay的1.2V功率MOSFET產(chǎn)品系列。

      這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外，這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。

      目前，所有七款1.2V器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為8～10周。