austriamicro推出CMOS工藝DFM參考設(shè)計流程
出處:尤新亮 發(fā)布于:2007-11-26 10:37:55
這種高壓CMOS工藝(H35)采用模擬/混合信號技術(shù),是一代的先進HV MOS裝置,可提供20V和50V的電壓以及非常低的阻抗。H35應(yīng)用場合很多,包括電源管理、發(fā)動機控制、打印頭驅(qū)動器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、LCD驅(qū)動器以及背光控制器。
該公司的處理器設(shè)計配套工具在整個設(shè)計過程中,充分集合了DFM的特性及優(yōu)勢。它擁有完整的硅片資格標(biāo)準(zhǔn)單元、外圍單元及通用模擬單元,如比較器、運算放大器以及低功率A/D和D/A轉(zhuǎn)換器。此外,該公司還表示,他們的定制模擬及RF器件、Assura和Calibre的物理驗證標(biāo)準(zhǔn)裝置也同樣像電路仿真模型一樣,可以快速設(shè)計復(fù)雜的高性能混合信號IC。
設(shè)計配套工具包含的所有的I/O構(gòu)架都符合硅(silicon-validated),以及軍用ESD和JEDEC栓鎖效(latch-up)標(biāo)準(zhǔn)。全部的H35技術(shù)I/O庫均由超過1800個單元構(gòu)成,并支持3.3V和3.3V/5V的設(shè)計方案。該高壓CMOS工藝及它的庫內(nèi)含超過2400個內(nèi)核和外圍單元。
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