三星電子(Samsung Electronics)宣布開發(fā)出8GB FB-DIMM(全緩沖雙列內(nèi)存模組)內(nèi)存。該公司曾于2005年10月推出8GB R-DIMM(雙列直插內(nèi)存模組)，此次推出的FB-DIMM密度內(nèi)存，作為該公司在高端服務器內(nèi)存市場的又一代表。

　　FB-DIMM是一種新的內(nèi)存互連技術，主要應用于高端服務器以及工作站，包括Intel、HP和Dell等大PC廠商都表示了對該架構(gòu)的支持。在大型工作站或高端服務器上使用此種高密度內(nèi)存，效果非常理想。

　　全緩沖雙列內(nèi)存模組(FB-DIMM)的構(gòu)造突破了以前每條通道2～4個模組容量的限制，達到8個模組(module)，且速度不會減慢。這種新的架構(gòu)還可以通過內(nèi)存緩存(AMB)芯片與系統(tǒng)中的每個模組進行點到點連接，以相同的速度處理更多的數(shù)據(jù)。

　　此外，F(xiàn)B-DIMM將內(nèi)存通道轉(zhuǎn)變?yōu)榇薪缑?，并且由?nèi)存緩沖器取代DIMM寄存器。在特性方面作出進一步的改進，支持更高容量，提供更強性能。因此，服務器市場對高密度DRAM(動態(tài)隨機內(nèi)存)的需求量將有望在今后明顯增加。此次推出8GB FB-DIMM內(nèi)存，將使服務器充分利用擴展內(nèi)存支持，從高存儲密度和帶寬中受益，限度的擴展性能。

　　FB-DIMM在現(xiàn)有DRAM模組增加一個AMB(內(nèi)存緩存)芯片，從而使模組中的DRAM能夠通過AMB芯片與系統(tǒng)互相傳送。目前FB-DIMM架構(gòu)標準被JEDEC(電子行業(yè)聯(lián)盟的半導體工業(yè)標準化組織)所采用，設計者在設計下一代DRAM系統(tǒng)時，可以在R-DIMM和FB-DIMM之間進行自由選擇。