廣晟微電子有限公司(Rising Micro Electronics Co., Ltd)日前宣布，繼成功研發(fā)出WCDMA射頻收發(fā)芯片之后，該公司又成功推出了用于中國3G標(biāo)準(zhǔn)TD-SCDMA通信系統(tǒng)射頻收發(fā)芯片RS1012。此次廣晟微電子推出的TD-SCDMA射頻通信芯為單片集成，采用了零中頻接收技術(shù)(Zero IF)和∑-Δ小數(shù)分頻鎖相環(huán)技術(shù)(∑-Δ fractional N PLL)并擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)。

      RS1012射頻收發(fā)芯片與外接的功率放大器、射頻濾波器和天線開關(guān)即可構(gòu)成無線通信3G TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)的射頻前端模塊，無需中頻SAW濾波器和中頻鎖相環(huán)電路。RS1012可在1880-1900MHz 或2110-2125MHz雙頻段工作。芯片內(nèi)接收機(jī)通道集成了低噪聲放大器，下變頻混頻器，自動增益放大器，低通濾波器，∑-Δ小數(shù)分頻鎖相環(huán)，二倍頻壓控振蕩器，直流偏移自動校準(zhǔn)電路，RC自動校準(zhǔn)電路及I/Q不平衡自動校準(zhǔn)電路。發(fā)射機(jī)通道集成了具有直流偏移校準(zhǔn)功能的低通濾波器，上變頻混頻器和可變增益放大器。具有集成度高、功能強(qiáng)大、功耗低和性價比高的特點(diǎn)。該款芯片采用7X7mm的QFN48封裝。

      廣晟微電子總工程師鄭衛(wèi)國表示，“RS1012射頻收發(fā)芯片采用的是IBM公司0.18微米鍺硅BiCMOS工藝，該工藝是目前射頻集成電路設(shè)計(jì)所廣泛使用的鍺硅工藝庫。由于該庫的模型準(zhǔn)確、元器件多，涵蓋了從模擬，數(shù)字到數(shù)?；旌系饶K設(shè)計(jì)所需的各種基本器件，從而加速了我們設(shè)計(jì)的速度，提高了芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量。這次TD-SCDMA射頻收發(fā)芯片的全部模塊從前端設(shè)計(jì)、仿真到后端版圖、GDSII文件，均由本公司的工程師獨(dú)立完成，保證了我們公司所設(shè)計(jì)的芯片擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)。而且RS1012射頻芯片做到了投片成功，增強(qiáng)了設(shè)計(jì)工程師們的信心。希望通過和IBM公司的合作，特別是采用該公司的0.18微米RF CMOS和BiCMOS工藝，我們公司可以為中國用戶提供更多更好的射頻集成電路芯片。”