采用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻電路的CMOS RF IC很難內(nèi)置低噪聲放大器，因而需要外置高性能的低噪聲放大器。 而NJG1128HB6則能夠解決上述問題。這款低噪聲放大器配備有旁通電路，主要用于450MHz頻帶CDMA手機(jī)。

　　NJG1128HB6由低噪聲放大器、旁通電路和控制用邏輯電路構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了IIP3=+8dBm min. @ 460-470MHz(高增益模式時(shí))的低失真特性，簡化了信號(hào)接收電路的設(shè)計(jì)。

　　當(dāng)電場(chǎng)輸入處于正常狀態(tài)時(shí)，通過內(nèi)置低噪聲放大器對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行增幅（高增益模式）。當(dāng)處于強(qiáng)電場(chǎng)輸入狀態(tài)時(shí)，由于無需對(duì)信號(hào)進(jìn)行增幅，因此NJG1128HB6還內(nèi)置有不通過低噪聲放大器的旁通電路，使低噪聲放大器在此時(shí)處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低消耗電流（低增益模式）。

　　上述高、低增益模式的切換，可通過控制邏輯電路以1比特控制信號(hào)得以實(shí)現(xiàn)，利用微處理器即可進(jìn)行控制。

　　NJG1128HB6具有以下特征，適用于450MHz頻帶CDMA手機(jī)的低噪聲放大器：

　?、俨捎肏J FET工藝，實(shí)現(xiàn)了高線性特性。

　　IIP3=+8dBm(min.) @ 高增益模式時(shí) / IIP3=+15dBm(min.) @ 低增益模式時(shí)

　?、诘驮鲆婺Ｊ綍r(shí)實(shí)現(xiàn)了15μA(typ.)的低消耗電流。

　　③內(nèi)置控制用邏輯電路，便于進(jìn)行模式切換(控制電壓"High"=高增益模式)

　　2007年4月開始發(fā)放NJG1128HB6樣品，6月開始正式投入生產(chǎn)，投產(chǎn)后預(yù)定月產(chǎn)量為30萬只。樣品價(jià)格為50日元。