RFMD宣布推出兩款的射頻開(kāi)關(guān)RF1200和RF1450
出處：kenichi_t 發(fā)布于：2007-11-21 09:13:53
RFMD近日宣布在美國(guó)加利福尼亞舉行的IEEE Radio and Wireless conference(IEEE射頻無(wú)線會(huì)議)上展出其的兩款射頻開(kāi)關(guān)——RF1200和RF1450。此次IEEE射頻無(wú)線會(huì)議于元月9~11日舉行。
RF1200和RF1450利用RFMD業(yè)界的GaAs生產(chǎn)工藝生產(chǎn)，并將進(jìn)一步推進(jìn)用于RFMD傳送模塊中的開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展。這些高性能開(kāi)關(guān)有助于推出適用于多模GSM/WCDMA蜂窩手機(jī)、天線調(diào)諧器、IEEE802.11a/b/g WLAN和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施等的前端器件。
RF1200為一款單刀雙擲(SPDT)大功率開(kāi)關(guān)，可滿足WCDMA產(chǎn)品的所有線性要求，具有插入損耗低、控制電壓低、雜散特性好等優(yōu)點(diǎn)。RF1200采用0.5μm GaAs pHEMT工藝制成，采用2×2mm的無(wú)鉛QFN封裝，共有6個(gè)引腳。
RF1450為一款單刀四擲(SP4T)大功率開(kāi)關(guān)，設(shè)計(jì)用于多模WCDMA產(chǎn)品，可提供的線性性能。RF1450內(nèi)含集成解碼邏輯，僅需兩路控制線便可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制。RF1450采用緊湊的3×3×0.6mm的無(wú)鉛QFN封裝，共有16個(gè)引腳。
RF1200具有以下特點(diǎn)：
- 插入損耗低，0.35dB@1GHz
- 隔離性能好，25dB@2.2 GHz
- 控制電壓低，2.6V至5.0V
- 雜散波：-80dBc@1GHz
- 采用GaAs pHEMT工藝生產(chǎn)
RF1450具有以下特點(diǎn)：
- 插入損耗低，僅為0.60dB
- 隔離性能好，15dB@2.2GHz
- 控制電壓低，2.6V至5.0V
- 雜散波：-75dBc@1GHz
- 采用GaAs pHEMT工藝生產(chǎn)
RFMD RF1200和RF1450現(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)。訂購(gòu)數(shù)量為10,000件時(shí)，RF1200為每件0.59美元，RF1450為每件1.19美元。
RF1200和RF1450利用RFMD業(yè)界的GaAs生產(chǎn)工藝生產(chǎn)，并將進(jìn)一步推進(jìn)用于RFMD傳送模塊中的開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展。這些高性能開(kāi)關(guān)有助于推出適用于多模GSM/WCDMA蜂窩手機(jī)、天線調(diào)諧器、IEEE802.11a/b/g WLAN和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施等的前端器件。
RF1200為一款單刀雙擲(SPDT)大功率開(kāi)關(guān)，可滿足WCDMA產(chǎn)品的所有線性要求，具有插入損耗低、控制電壓低、雜散特性好等優(yōu)點(diǎn)。RF1200采用0.5μm GaAs pHEMT工藝制成，采用2×2mm的無(wú)鉛QFN封裝，共有6個(gè)引腳。
RF1450為一款單刀四擲(SP4T)大功率開(kāi)關(guān)，設(shè)計(jì)用于多模WCDMA產(chǎn)品，可提供的線性性能。RF1450內(nèi)含集成解碼邏輯，僅需兩路控制線便可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制。RF1450采用緊湊的3×3×0.6mm的無(wú)鉛QFN封裝，共有16個(gè)引腳。
RF1200具有以下特點(diǎn)：
- 插入損耗低，0.35dB@1GHz
- 隔離性能好，25dB@2.2 GHz
- 控制電壓低，2.6V至5.0V
- 雜散波：-80dBc@1GHz
- 采用GaAs pHEMT工藝生產(chǎn)
RF1450具有以下特點(diǎn)：
- 插入損耗低，僅為0.60dB
- 隔離性能好，15dB@2.2GHz
- 控制電壓低，2.6V至5.0V
- 雜散波：-75dBc@1GHz
- 采用GaAs pHEMT工藝生產(chǎn)
RFMD RF1200和RF1450現(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)。訂購(gòu)數(shù)量為10,000件時(shí)，RF1200為每件0.59美元，RF1450為每件1.19美元。
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