美國國家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出一款業(yè)界功耗的8位、1GSPS雙通道CMOS模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器ADC，符合寬帶及高速衛(wèi)星通信系統(tǒng)的嚴(yán)格技術(shù)指標(biāo)要求。這款型號為ADC08D1000WG-QV的模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用128引腳多層式的CQFP封裝，以每通道功耗800mW為例，其功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于競爭產(chǎn)品，而采樣速度則高達(dá)1GHz以上，而有效位數(shù)(ENOB)也較大，因此可以準(zhǔn)確測量高頻信號的電平。

      ADC08D1000WG-QV芯片符合業(yè)界就有關(guān)航天設(shè)備而制定的嚴(yán)格技術(shù)規(guī)定，例如單粒子鎖存 (SEL) 功能可以防范高達(dá) 120 MeV的輻射，而總電離量則達(dá)300K rad (Si)。這款模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器是衛(wèi)星通信系統(tǒng)信號路徑的主要組件之一，不但功耗為業(yè)界，在信噪比及失真方面更有卓越的表現(xiàn)，因此可以準(zhǔn)確捕捉真實(shí)世界傳送的模擬信號，然后將之轉(zhuǎn)為數(shù)字信號，以作進(jìn)一步的處理。

      ADC08D1000WG-QV芯片能以高達(dá)1.2GSPS的采樣速度將兩個(gè)輸入信號轉(zhuǎn)換為8位分辨率的數(shù)字信號，而且只需1.9V的額定供電電壓，操作時(shí)每通道的功耗更低至只有800mW。由于這款芯片具有獨(dú)創(chuàng)而且可全面編程的雙邊采樣功能，讓兩個(gè)內(nèi)置的轉(zhuǎn)換器可以交替操作，因此每通道的采樣速度可以高達(dá)2GSPS。每一模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器輸出都內(nèi)置1:2多路分配器，其主要任務(wù)是為兩個(gè)低電壓差分信號(LVDS) 傳輸總線提供信號，使每一總線的數(shù)據(jù)輸出速度可以降低至采樣速度的一半。

      獨(dú)特的高性能結(jié)構(gòu)

      美國國家半導(dǎo)體的ADC08D1000WG-QV芯片采用設(shè)計(jì)獨(dú)特而性能更高的特快折疊/內(nèi)插結(jié)構(gòu)。折疊功能可以減少所需比較器的數(shù)目，而內(nèi)插功能則可減少所需前端放大器的數(shù)目，因此采用折疊/內(nèi)插結(jié)構(gòu)可以大幅節(jié)省耗電以及減輕輸入信號的負(fù)載。

      主要的技術(shù)規(guī)格

      若以1GHz的速率進(jìn)行采樣，ADC08D1000WG-QV芯片的微分非線性特性 (DNL) 可達(dá)0.15 LSB，若以 498MHz的輸入頻率(即奈奎斯特頻率)操作，這款芯片的有效位數(shù)(ENOB)仍高達(dá)7.4。這款轉(zhuǎn)換器的錯(cuò)碼率 (BER) 低至只有10-18 ，而采用關(guān)機(jī)模式時(shí)，功耗則不超過3.5mW (典型值)。ADC08D1000WG-QV芯片可在 -55℃ 至 125℃ 的廣闊溫度范圍內(nèi)操作，而且保證“不會(huì)遺漏代碼”。ADC08D1000WG-QV芯片設(shè)有以指令控制的校準(zhǔn)模式，以免單粒子效應(yīng) (SEE) 觸發(fā)啟動(dòng)系統(tǒng)，進(jìn)行不必要的校準(zhǔn)操作。由于這款產(chǎn)品設(shè)有這些功能，因此可以支持性能及準(zhǔn)確度要求均極高的航天設(shè)備。

      價(jià)格及供貨情況

      ADC08D1000WG-QV芯片采用128引腳多層式CQFP封裝，已有大量現(xiàn)貨供應(yīng)。這款芯片符合航天科技部門有關(guān)MIL-STD-38535 QML第5級(level V)的嚴(yán)格規(guī)定，并以5962-0520601VZC標(biāo)準(zhǔn)軍事繪圖系統(tǒng) (SMD) 為名稱出售。如欲進(jìn)一步查詢有關(guān) ADC08D1000WG-QV 芯片的資料，其中包括售價(jià)、訂購樣品或評估電路板等方面的資料，可與各地的營業(yè)辦事處及授權(quán)分銷商洽詢。