功率管理技術(shù)領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出了采用IRS2092集成式音頻驅(qū)動器IC的芯片組，具有保護式脈寬調(diào)制（PWM）開關和IR完整的數(shù)字音頻MOSFET等特性。該芯片組主要針對從50W至 500W的中功率、高性能D類音頻放大器應用，例如家庭影院、家庭立體聲音響、有源揚聲器、樂器和音頻應用等。

        IR銷售副總裁曾海邦先生表示：“IR推出的此款芯片組可使D類音頻設計的效率和面積優(yōu)勢更好地融入高性能的放大器中，從而在不影響音頻性能的基礎上大幅減少AB類設計所需的占板面積。特別可喜的是該集成電路還可極大地簡化設計師的工作，只要用靈活的‘構(gòu)建模塊’ 方法就可以實現(xiàn)保護、死區(qū)時間設定和PWM調(diào)節(jié)，并只需簡單更換MOSFET就可以輕松應付設計需求的改變?！?nbsp;

       新型芯片形成的D類音頻解決方案要比AB類設計方案的面積更小。例如，在100W的應用中，IRS2092 IC和IRF6645 DirectFET MOSFET可以減少60% 的占板面積，也比典型材料表減少20% 的器件數(shù)量。

        IRS2092 音頻IC 技術(shù)資料

        新的音頻驅(qū)動IC基于半橋拓撲構(gòu)架，集成了D類設計實現(xiàn)所需的四個基本功能，其中包括誤差放大器、PWM比較器、柵極驅(qū)動器和強大的保護電路。因此，這款緊湊型16引腳IC具有極高的抗噪性，可以降低開始和結(jié)束時的破音，同時極大地減少一些諸如過負載保護等非常復雜而又昂貴的設計工作。 

        IRS2092的主要功能包括：頻率可達800kHz的模擬PWM調(diào)節(jié)器、具有自復位控制功能的可編程雙向過電流保護（OCP）、欠壓鎖定保護（UVLO），以及可以擴展功率設計的可編程預置死區(qū)時間等。

       數(shù)字音頻MOSFET技術(shù)資料

       該IC還備有豐富的數(shù)字音頻MOSFET，可滿足從50W到500W的輸出功率。作為IR的IRFI4x 、IRFB422x 和DirectFET 系列的一部分，這些MOSFET都對音頻性能的關鍵參數(shù)進行了優(yōu)化，例如效率、總諧波失真（THD）和電磁干擾（EMI）。 

       IRAUDAMP5 參考設計 

        IRAUDAMP5 參考設計可加速開發(fā)和評估。在IRS2092 IC 和 IRF6645 DirectFET 功率 MOSFET 基礎上，雙通道設計采用120W半橋功率放大器，可以適用于不同功率和通道數(shù)，在正常工作環(huán)境下無需散熱器。該設計在120W的MOSFET 級可實現(xiàn)96%的效率，在1kHz、60W、4Ω的條件下THD+N為0.005%（均為典型值） 。

        IC 規(guī)格

產(chǎn)品編號	偏置電壓	流入/流出電流	VccRange (帶 UVLO)	/輸出電壓	可選擇死區(qū)時間	邏輯兼容輸入
IRS2092(S)PBF	+/-100V	1.2/1.0A	10-18V	10-18V	25/45/75/105ns	3.3/5.0V

       MOSFET 規(guī)格

產(chǎn)品編號	封裝	額定電壓	典型Rds(on) @10v	Id@Tc = 25°C	典型Qg
IRF6645	DirectFET SJ	100V	28mOhms	25A	14nC
IRF6665	DirectFET SH	100V	53mOhms	19A	8.7nC
IRF6775M	DirectFET MZ	150V	47mOhms	28A	25nC
IRF6785M	DirectFET MZ	200V	85mOhms	19A	26nC
IRFB4227PBF	TO220-AB	200V	20mOhms	65A	70nC
IRFI4024H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	55V	48mOhms	11A	8.9nC
IRFI4212H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	100V	58mOhms	11A	12nC
IRFI4019H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	150V	80mOhms	8.7A	13nC
IRFI4020H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	200V	80mOhms	9.1A	19nC