東芝公司日前宣布已經(jīng)成功開發(fā)出用于手機的大容量NAND閃存新系列產(chǎn)品mobileLBA-NAND，可以在同一芯片中任意設(shè)定存放程序的雙值區(qū)域（SLC）和保存數(shù)據(jù)用多值區(qū)域（MLC）。從8月份開始出貨。

      新產(chǎn)品是一種內(nèi)置控制器的嵌入式存儲器，增加了對應(yīng)于雙值和多值兩種方式的獨特控制的產(chǎn)品。在一種存儲器芯片上，可以以任意容量設(shè)定適合于高速寫入讀取的雙值存儲區(qū)域以及提高每個器件的數(shù)據(jù)存儲量的多值存儲區(qū)域(關(guān)于雙值存儲區(qū)域，存儲器容量在2Gb、4Gb、8Gb各種新產(chǎn)品可以根據(jù)用途，設(shè)定到各存儲器容量的值，存儲器容量在16Gb、32Gb的各種新產(chǎn)品可以根據(jù)用途，設(shè)定到8Gb)。這樣可以減少芯片層數(shù)從而節(jié)省空間，實現(xiàn)高密度安裝及多功能化。

      新產(chǎn)品采用標準NAND接口，因此可以簡單的從以往產(chǎn)品進行替換。而且，同時采用無須進行寫入或消除的塊管理的邏輯地址訪問方式的控制功能、修正錯誤（ECC）處理等一系列控制。從而降低主控制器的負荷的同時，減輕新產(chǎn)品開發(fā)負荷。

      近年來，搭載高像素拍照功能、音樂播放器功能等手機急速增加，在以往寫入讀取程序及通訊數(shù)據(jù)等基礎(chǔ)上，可以保存圖片及音樂數(shù)據(jù)的大容量存儲器的需求越來越大。東芝在滿足這些希望的同時，不斷強化有助于減輕設(shè)備開發(fā)負荷的產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品以MCP為主要出貨形態(tài)，采用和以往MCP相同的FBGA封裝。

      新產(chǎn)品的主要特征

      1．在同一存儲器芯片上，可以以任意容量設(shè)定適合于高速寫入讀取的雙值存儲區(qū)域以及提高每個器件的數(shù)據(jù)存儲量的多值存儲區(qū)域。雙值保存區(qū)域可以根據(jù)用途，設(shè)定到8Gb。(關(guān)于雙值存儲區(qū)域，存儲器容量在2Gb、4Gb、8Gb各種新產(chǎn)品可以根據(jù)用途，設(shè)定到各存儲器容量的值，存儲器容量在16Gb、32Gb的各種新產(chǎn)品可以根據(jù)用途，設(shè)定到8Gb。)

      2．新產(chǎn)品采用標準NAND接口，因此可以簡單的從以往產(chǎn)品進行替換。

      3．采用無須進行寫入或消除的塊管理的邏輯地址訪問方式的控制功能、修正錯誤（ＥＣＣ）處理等一系列控制。從而降低主控制器的負荷的同時，減輕新產(chǎn)品開發(fā)負荷。

      新產(chǎn)品的主要規(guī)格

      接口——標準NAND閃存接口(但是，采用邏輯地址訪問方式)

      電源電壓——控制器部分：1.7～1.95V；NAND閃存部分：1.7～1.95V或2.6～3.3V