存儲產(chǎn)品供應(yīng)商奇夢達(Qimonda)公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組(FB-DIMM)，該模組技術(shù)是推動下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時還可降低服務(wù)器的功耗。這些FB-DIMM模組進一步壯大了奇夢達的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計算機工作站應(yīng)用日益增長的要求。

    奇夢達的新款FB-DIMM模組的速率快可達800MHz。800MHz模組將提高今年晚些時候面市的下一代服務(wù)器的性能。在800MHz模組中，每條高速通道的帶寬為4.8Gbit/s，與533MHz模組相比增加50%，與667MHz模組相比增加20%。在奇夢達實驗室進行的初步測試表明，與相同容量常規(guī)模組相比，功耗可降低45%。

    

    奇夢達現(xiàn)可提供工作電壓為1.5V的DDR2組件，這一電壓水平比現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品低17%，但其性能不受損失。有了這些顆粒，從其新款FB-DIMM產(chǎn)品開始，奇夢達將可支持基于DDR2的低功耗服務(wù)器內(nèi)存解決方案。

    奇夢達四列結(jié)構(gòu)的FBD是由奇夢達內(nèi)部設(shè)計和制造的內(nèi)存緩沖(AMB)芯片支持。AMB的作用相當(dāng)于FB-DIMM的數(shù)據(jù)流量疏導(dǎo)器。四列FB-DIMM模組使得企業(yè)用戶能夠在保持或降低功率預(yù)算的同時調(diào)節(jié)總體內(nèi)存模塊密度。這不僅降低了功耗，而且還縮短了內(nèi)存通道的延遲時間。更低的工作電壓再加上四列FB-DIMM模組，使得新模組在降低功耗方面具有很大的潛力。
 
    奇夢達現(xiàn)已推出容量為1GB、2GB和4GB、雙列配置的FB-DIMM模組及2GB，4GB和8GB的四列配置。各種密度的FB-DIMM的數(shù)據(jù)速率都可達到800Mbps，工作電壓為1.8伏(符合Jedec標(biāo)準(zhǔn))或1.5伏(行業(yè)發(fā)展目標(biāo))。四列8GB模組的首批樣品已交付主要的合作伙伴進行驗證測試。