nvSRAM可作為快速非易失性存儲器的替代產(chǎn)品。與需要備用電池的SRAM相比，nvSRAM能夠減少板卡占用空間并簡化設(shè)計，而且其經(jīng)濟(jì)性和可靠性都要優(yōu)于磁性存儲器(MRAM)或鐵電存儲器(FRAM)。這款新產(chǎn)品是賽普拉斯的nvSRAM系列中的產(chǎn)品，該系列還包括當(dāng)前批量生產(chǎn)發(fā)運(yùn)的256K和1Mbit nvSRAM型號的器件。預(yù)計，這一系列在2008年上半年還會再推出新產(chǎn)品。

　　這款新4-Mbit nvSRAM產(chǎn)品首次采用賽普拉斯S8 0.13微米SONOS(硅氮氧化物硅)嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造的產(chǎn)品，實現(xiàn)了更高的密度，縮短了存取時間并提高了性能。作為SONOS工藝技術(shù)的者，賽普拉斯將在下一代PSoC混合信號陣列、OvationONS激光導(dǎo)航傳感器、可編程時鐘和其它產(chǎn)品中應(yīng)用該項技術(shù)。SONOS對標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)具有極高的兼容性，并具備了高耐用性、低功率和耐輻射性等眾多優(yōu)點。